5月20日，英飛凌公司表示，將與#英偉達(dá) 合作開發(fā)下一代電源系統(tǒng)，以革新未來人工智能數(shù)據(jù)中心所需的電力傳輸架構(gòu)。英飛凌表示，該全新系統(tǒng)架構(gòu)能顯著提升數(shù)據(jù)中心內(nèi)電能分配效率，并支持在服務(wù)器主板內(nèi)直接為AI芯片（圖形處理器GPU）進(jìn)行電力轉(zhuǎn)換。

同日，英飛凌官微發(fā)布消息表示，近期公司與#深圳優(yōu)優(yōu)綠能股份有限公司 深化合作，通過提供英飛凌先進(jìn)的CoolMOS™和TRENCHSTOP™ IGBT，CoolSiC™ MOSFET和EiceDRIVER™驅(qū)動(dòng)器等全套功率半導(dǎo)體解決方案，全面賦能優(yōu)優(yōu)綠能新一代高質(zhì)量40kW/60kW獨(dú)立風(fēng)道充電模塊、液冷充電模塊以及V2G車網(wǎng)互動(dòng)解決方案的技術(shù)升級(jí)，顯著提升充換電設(shè)備的電能轉(zhuǎn)換效率與穩(wěn)定性，為充電行業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展注入新動(dòng)能。

圖片來源：英飛凌

圖為優(yōu)優(yōu)綠能40kW/60kW全碳化硅充電模塊

英飛凌表示，碳化硅器件與生俱來的高功率密度優(yōu)勢(shì)，能優(yōu)化電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，有效減少線損，降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，是打造高性能、輕量化、緊湊型充電解決方案的理想選擇。通過采用英飛凌CoolSiC™碳化硅解決方案，優(yōu)優(yōu)綠能充電模塊效率提升至97.5%以上。

在顯著提升效率的同時(shí)，英飛凌CoolSiC™溝槽柵技術(shù)通過更厚的氧化層和更高的篩選電壓，最大限度地降低了柵極氧化層缺陷率，保障了產(chǎn)品的可靠性。這種對(duì)碳化硅材料物理底層的深度理解，以及超過40年溝槽柵技術(shù)、溝槽底部電場(chǎng)均勻設(shè)計(jì)的長(zhǎng)期積累，使得英飛凌在碳化硅領(lǐng)域提前占據(jù)了可靠性的領(lǐng)先地位。

隨著新能源汽車充電需求向大功率、高頻化方向升級(jí)，英飛凌CoolSiC™技術(shù)正以高效、可靠的雙重優(yōu)勢(shì)，加速推動(dòng)全球充電樁行業(yè)向高質(zhì)量發(fā)展轉(zhuǎn)型。