5月21日，#株洲中車 董事長李東林在“先進軌道交通行業(yè)專場”說明會上透露了公司在碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)的最新進展。
株洲中車正加快8英寸碳化硅產(chǎn)線建設，其中三期8英寸SiC晶圓項目已于2024年11月啟動，計劃2025年5月完成主體廠房封頂，年底前實現(xiàn)整線貫通。公司現(xiàn)有的6英寸SiC芯片生產(chǎn)線年產(chǎn)2.5萬片，已具備成熟產(chǎn)能。
圖片來源：株洲中車
在MOSFET技術(shù)上，株洲中車已完成第三代精細平面柵SiC MOSFET的定型開發(fā)，技術(shù)水平已達到行業(yè)主流。第四代溝槽柵產(chǎn)品已完成設計定型，并達到行業(yè)先進水平，性能指標基本對標國際龍頭企業(yè)。此外，公司已前瞻性布局第五代技術(shù)研發(fā)，并透露在超精細溝槽柵7.5代技術(shù)方面已達到國際領先水平，展現(xiàn)出強大的持續(xù)創(chuàng)新能力。
公司重點產(chǎn)品涵蓋650V至6500V電壓等級的SiC MOSFET，以及1200V SBD（肖特基二極管）。其中，1200V SBD已在光伏領域?qū)崿F(xiàn)批量出貨。
在封裝層面，SiC TO封裝器件已在充電樁、車載充電機（OBC）、電源管理等領域?qū)崿F(xiàn)規(guī)模供貨。面向新能源汽車主驅(qū)控制器，公司于2022年底正式發(fā)布了其C-Power 220s平臺，這是國內(nèi)首款基于自主碳化硅研制的大功率電驅(qū)產(chǎn)品，系統(tǒng)效率最高可達94%，目前已進入整車廠驗證階段，預計2025年有望實現(xiàn)主驅(qū)批量出貨。
株洲中車正在構(gòu)建從襯底、芯片到應用平臺的完整SiC產(chǎn)業(yè)生態(tài)，加速向高壓、高能效電力電子市場滲透。隨著產(chǎn)線升級、技術(shù)迭代和產(chǎn)品矩陣的完善，株洲中車有望在碳化硅領域?qū)崿F(xiàn)更大突破，推動相關產(chǎn)業(yè)的升級與發(fā)展。
