英飛凌CoolMOS™ 8為優(yōu)化服務(wù)器應(yīng)用而設(shè)計(jì)

英飛凌最新推出的600 V CoolMOS™ 8產(chǎn)品引領(lǐng)著高壓超結(jié)MOSFET 技術(shù)的發(fā)展方向，在全球范圍內(nèi)樹(shù)立了技術(shù)與性價(jià)比的新標(biāo)準(zhǔn)。該技術(shù)在提高系統(tǒng)整體性能的同時(shí)，在減少多種應(yīng)用的碳排放方面也發(fā)揮了關(guān)鍵作用，應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋充電器和適配器、太陽(yáng)能系統(tǒng)和儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施以及不間斷電源（UPS）等。

600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET專為提高效率和可靠性設(shè)計(jì)，完美契合光寶科技和英飛凌致力于提高服務(wù)器應(yīng)用性能和總體擁有成本的承諾。此外，憑借.XT互連技術(shù)這一主要的特色功能，新一代CoolMOS™ 8產(chǎn)品已成為傳統(tǒng)服務(wù)器和AI服務(wù)器的理想選擇。這項(xiàng)先進(jìn)的互連技術(shù)擁有業(yè)界領(lǐng)先的散熱能力，并通過(guò)減少寄生電感和電阻提高了電氣性能。與之前的MOSFET型號(hào)相比，CoolMOS™ 8 SJ MOSFET的柵極電荷降低了18%，擁有更快的關(guān)斷時(shí)間，熱性能提高了14%~42%。

英飛凌科技電源系統(tǒng)負(fù)責(zé)人Richard Kuncic表示：“CoolMOS™ 8 SJ MOSFET擁有領(lǐng)先的功率密度和效率，這對(duì)高性能服務(wù)器應(yīng)用非常重要。CoolMOS™ 8產(chǎn)品系列提供的一體化解決方案簡(jiǎn)化了我們的產(chǎn)品組合，不僅使客戶選型流程更輕松，同時(shí)減少了設(shè)計(jì)導(dǎo)入工作量。”

光寶科技云端基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)與平臺(tái)戰(zhàn)略業(yè)務(wù)群總經(jīng)理張坤松 表示：“光寶科技很高興在新一代服務(wù)器設(shè)計(jì)中采用英飛凌CoolMOS™ 8系列產(chǎn)品。600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET擁有出色的效率和可靠性，符合我們?yōu)榭蛻籼峁┣把丶夹g(shù)和高能效解決方案的承諾。”

600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列是一種“全集成MOSFET”技術(shù)，可滿足工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用的需要。由于集成了快速體二極管，該系列適用于目標(biāo)市場(chǎng)的各種主要拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，并且通過(guò)實(shí)現(xiàn)極具性價(jià)比的硅基解決方案增強(qiáng)了英飛凌的高壓寬禁帶（WBG）產(chǎn)品組合。該系列MOSFET采用SMD-QDPAK、TOLL和ThinTOLL-8x8封裝。