英飛凌CoolSiC™ MOSFET 750 V G2
憑借4 mΩ和7 mΩ的超低導(dǎo)通電阻，MOSFET在靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用中擁有出色的表現(xiàn)，并成為eFuse、高壓電池關(guān)斷開關(guān)、固態(tài)斷路器和固態(tài)繼電器等應(yīng)用的理想選擇。英飛凌創(chuàng)新的Q-DPAK頂部散熱式封裝專為提供領(lǐng)先的熱性能和可靠性設(shè)計(jì)， R DS(on) 值低至4 mΩ，實(shí)現(xiàn)行業(yè)內(nèi)最佳規(guī)格。
該技術(shù)還具有領(lǐng)先的R DS(on) x Q OSS 和更佳的R DS(on) x Q fr，可減少硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)?/font>結(jié)構(gòu)中的開關(guān)損耗，在硬開關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景中效率尤為出色。由于柵極電荷減少，該技術(shù)可實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度并降低柵極驅(qū)動(dòng)損耗，提高了在高頻率應(yīng)用中的效率。
此外，CoolSiC™ MOSFET 750 V G2在25°C時(shí)具有高電壓閾值（V GS(th),typ 為4.5 V）和超低Q GD/Q GS 比，進(jìn)一步提高了對(duì)寄生導(dǎo)通（PTO）的抗擾性。該技術(shù)還支持柵極驅(qū)動(dòng)能力擴(kuò)展，可承受最高-7 V的靜態(tài)柵極電壓及最高-11 V的瞬態(tài)柵極電壓。這一更高的電壓耐受性為工程師提供了更大的設(shè)計(jì)余量，保證了與市場(chǎng)上其他產(chǎn)品更高的兼容性。
CoolSiC™ 750 V G2具有出色的開關(guān)性能、極佳的易用性和優(yōu)異的可靠性，并且完全符合AEC Q101車規(guī)級(jí)部件標(biāo)準(zhǔn)和JEDEC工業(yè)級(jí)部件標(biāo)準(zhǔn)。該技術(shù)通過實(shí)現(xiàn)更加高效、緊湊和經(jīng)濟(jì)的設(shè)計(jì)，滿足了日益增長的市場(chǎng)需求，展現(xiàn)了英飛凌在安全關(guān)鍵型汽車應(yīng)用可靠性和耐用性上的投入。
供貨情況
英飛凌的CoolSiC™ MOSFET 750 V G2 Q-DPAK 4/7/16/25/60 mΩ樣品現(xiàn)已開放訂購。更多信息，敬請(qǐng)訪問www.infineon.com/coolsic-750v。
