采用 Q-DPAK 封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2
這款CoolSiC 1200 V G2所采用的技術(shù)相較于上一代產(chǎn)品有顯著的提升，可在導(dǎo)通電阻（Rds(on)）相同的情況下，開關(guān)損耗降低達(dá)25%，系統(tǒng)效率提升0.1%。基于英飛凌先進(jìn)的.XT擴(kuò)散焊技術(shù)，，G2系列產(chǎn)品的熱阻相較于G1系列降低15%以上，MOSFET溫度也降低了11%。憑借4 mΩ至78 mΩ的出色導(dǎo)通電阻和豐富的產(chǎn)品組合，設(shè)計(jì)人員能夠靈活使用，提高系統(tǒng)性能，滿足目標(biāo)應(yīng)用需求。此外，新技術(shù)支持在高達(dá)200°C結(jié)溫（Tvj）下的過載運(yùn)行，并具備出色的抗寄生導(dǎo)通能力，確保在動態(tài)且嚴(yán)苛的工況下實(shí)現(xiàn)可靠運(yùn)行。
英飛凌CoolSiC MOSFET 1200 V G2提供單開關(guān)和雙半橋兩種Q-DPAK封裝。兩種型號均屬于英飛凌更廣泛的X-DPAK頂部散熱平臺。所有頂部散熱（TSC）版本（包括 Q-DPAK 和 TOLT）的封裝厚度統(tǒng)一為2.3 mm，具備高度的設(shè)計(jì)靈活性，使客戶能夠在單一散熱器組件下靈活擴(kuò)展和組合不同產(chǎn)品。這種設(shè)計(jì)靈活性簡化了先進(jìn)功率系統(tǒng)的開發(fā)，便于客戶根據(jù)需求定制和擴(kuò)展其解決方案。
Q-DPAK封裝通過實(shí)現(xiàn)器件頂部與散熱器之間的直接熱傳導(dǎo)，顯著提升散熱性能。與傳統(tǒng)底部散熱封裝相比，這種直接熱傳導(dǎo)路徑能夠顯著提高熱傳導(dǎo)效率，使系統(tǒng)設(shè)計(jì)更加緊湊。此外，Q-DPAK封裝的布局設(shè)計(jì)大幅減少了寄生電感，對提高開關(guān)速度至關(guān)重要，有助于提升系統(tǒng)效率，并降低電壓過沖風(fēng)險(xiǎn)。 。該封裝由于占用空間小，適用于緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，其與自動化裝配流程的兼容性簡化了制造過程，確保了成本效益和可擴(kuò)展性。
供貨情況
采用Q-DPAK單開關(guān)和雙半橋封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2現(xiàn)已上市。更多信息，敬請?jiān)L問：https://www.infineon.cn/products/power/mosfet/silicon-carbide/discretes。
