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SiC MOSFET模塊
1.1 產(chǎn)品陣容
三菱電機已推出三款SiC模塊產(chǎn)品，半橋T-PM模塊：CTF350DJ3A130，三相全橋模塊HEXA-S：CTF350CJ3C130，三相全橋模塊HEXA-L：CTF700CJ3D130。后續(xù)還會繼續(xù)推出其它規(guī)格的產(chǎn)品，擴充產(chǎn)品陣容，如表1中的灰色帶*部分，滿足客戶的不同需求�？蛻艨梢灾苯淤徺IT-PM，以T-PM為基礎(chǔ)，定制開發(fā)自己的功率模塊。
1.2 輸出電流能力
J3系列SiC模塊以半橋T-PM模塊為核心，通過不同組合構(gòu)成全橋模塊HEXA-S和HEXA-L，可以實現(xiàn)從50kW到300kW電驅(qū)功率的全覆蓋，滿足客戶端的平臺化設(shè)計。HEXA-S可以應(yīng)用在50kW到150kW的主驅(qū)逆變器或者增程器，HEXA-L可以覆蓋150kW到300kW的主驅(qū)逆變器。典型輸出電流示例可以參考圖1，在800V母線電壓，10kHz開關(guān)頻率，65℃水溫，10L/min的流速條件下可以輸出最大540Arms的電流。并且三菱電機SiC模塊的漏源間耐壓（VDS）在全溫度范圍內(nèi)（-40℃到175℃）1300V，可以覆蓋更寬的電池電壓。
三菱電機還為用戶提供HEXA-L和HEXA-S的評估套件，包括母線電容、水冷套件和對應(yīng)的驅(qū)動板，可以用作雙脈沖測試和臺架帶載測試，方便客戶對J3系列SiC模塊的快速評價。如有興趣，可以聯(lián)系我們。
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SiC MOSFET裸片
除了SiC功率模塊，三菱電機還提供用于電動汽車（EV）、插電式混合動力汽車（PHEV）和其他電動汽車（xEV）電驅(qū)逆變器的SiC MOSFET裸片，晶圓和裸片的示意圖如下圖2所示。
三菱電機用于xEV的SiC MOSFET裸片，采用溝槽柵結(jié)構(gòu)，得益于特有的制造工藝，在溝槽柵結(jié)構(gòu)中生長出高品質(zhì)的柵極氧化膜，可以抑制長期使用過程中的閾值電壓（VGS,th）漂移和性能劣化。
目前，三菱電機可以提供以下SiC-MOSFET裸片樣品（表2），供客戶測試評估。
未來，三菱電機將繼續(xù)致力于開發(fā)和提供高品質(zhì)、低損耗的SiC-MOSFET裸片，助力提升逆變器性能、延長續(xù)航里程和提高xEV的能源效率，為實現(xiàn)脫碳目標做貢獻。
