TOLL封裝的OptiMOS™ 6產(chǎn)品組合

這款新型車規(guī)級MOSFET系列是基于英飛凌第六代OptiMOS™技術(shù)開發(fā)而成。所有型號均提供兩種漏源電阻級別，額定電壓等級均為150V，并在同級別中實現(xiàn)最低的RDS(on)，最低可達2.5 mΩ。這一特性能有效降低導(dǎo)通損耗，并顯著提升整體效率。在多個MOSFET并聯(lián)配置時，柵極閾值電壓（VGS(th)）的緊密分布特性可實現(xiàn)理想的同步性能，這對高功率汽車系統(tǒng)尤為重要。新產(chǎn)品的另一個特點是在高頻應(yīng)用中呈現(xiàn)極低的開關(guān)損耗，可在諸如現(xiàn)代DC/DC轉(zhuǎn)換器等高速開關(guān)應(yīng)用中高效運行。在熱性能方面，該產(chǎn)品各型號的熱阻值可低至0.4 K/W，大幅提升了散熱能力。這種優(yōu)勢不僅減少了系統(tǒng)級散熱設(shè)計的復(fù)雜性與需求，還顯著降低了相關(guān)成本，為系統(tǒng)設(shè)計帶來更加經(jīng)濟高效的解決方案。

三種封裝各具優(yōu)勢：10x12 mm² TO無引線（TOLL）封裝可實現(xiàn)緊湊設(shè)計；10x12 mm² TOLG封裝與TOLL的布局兼容并采用鷗翼引腳設(shè)計，具有優(yōu)異的熱機械應(yīng)力抗性；10x15 mm² TOLT封裝采用頂部散熱設(shè)計，可實現(xiàn)系統(tǒng)層面的高效熱量傳導(dǎo)，非常適用于空間受限環(huán)境中的高熱負(fù)荷應(yīng)用。此外，英飛凌OptiMOS™ 6 150 V MOSFET已通過英飛凌汽車質(zhì)量的最高標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，其性能超越AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)要求。同時，這些器件還支持生產(chǎn)零件批準(zhǔn)程序（PPAP），可輕松滿足最高等級的汽車生產(chǎn)要求。綜合這些特性，工程師能夠在有限的預(yù)算內(nèi)針對特定性能需求優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計。

供貨情況

OptiMOS™ 6 車規(guī)級150V MOSFET系列的TOLL、TOLG和TOLT封裝版本現(xiàn)已上市。了解更多信息，請訪問infineon.com/150VMOS。