截至2024年，三菱電機(jī)已量產(chǎn)第二代平面柵SiC MOSFET芯片，并配套于各種模塊實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化。圖1顯示了第二代平面柵SiC MOSFET的MOS元胞截面結(jié)構(gòu)及其特點(diǎn)。首先，使用n型離子注入技術(shù)（JFET摻雜）來優(yōu)化MOS元胞JFET區(qū)的結(jié)構(gòu)，降低了JFET區(qū)域的電阻。此外，與以往相比，縮小了MOS元胞的尺寸，通過提高M(jìn)OS溝道密度來降低電阻，并通過使SiC襯底更薄來降低電阻。通過這些改進(jìn)，如圖2所示，三菱電機(jī)的第二代SiC MOSFET與第一代相比，導(dǎo)通電阻降低了30%以上。此外，用于保持第二代SiC MOSFET耐壓的終端結(jié)構(gòu)采用了FLR（Field Limiting Ring），形成適當(dāng)?shù)谋砻姹Ｗo(hù)膜。
