三菱電機(jī)從1994年開(kāi)始研發(fā)SiC-MOSFET，經(jīng)過(guò)試制驗(yàn)證，目前正處于普及擴(kuò)大的階段。SiC-MOSFET能夠使系統(tǒng)整體的效率最大化，具有濾波器等被動(dòng)元件尺寸減小和冷卻系統(tǒng)小型化等各種優(yōu)點(diǎn)，逐漸有替換Si-IGBT的趨勢(shì)。但是，SiC-MOSFET與Si-IGBT相比，由于開(kāi)關(guān)速度快造成浪涌電壓高，超過(guò)器件額定電壓的可能性提升。為了使浪涌電壓在器件的額定電壓內(nèi)，其中一種解決方案是增加?xùn)艠O電阻并減慢開(kāi)關(guān)速度，但這種解決方法沒(méi)有利用SiC-MOSFET低損耗工作的優(yōu)點(diǎn)。目前工業(yè)用Si-IGBT模塊中廣泛采用NX封裝，在考慮從Si-IGBT易替代性的同時(shí)，還可以利用SiC-MOSFET的特點(diǎn)，開(kāi)發(fā)出能夠?yàn)橄到y(tǒng)高效率化做出貢獻(xiàn)的產(chǎn)品。圖1表示外觀圖，圖2表示內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖。
