SiC MOSFET的閾值電壓（VGS(th)）通常低于Si IGBT。降低閾值電壓可降低SiC MOSFET的通態(tài)電阻。驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET需要對(duì)柵極施加負(fù)偏壓，并仔細(xì)設(shè)計(jì)控制電路布線，這是為了防止噪聲干擾引起的故障。此外，閾值電壓隨著溫度升高而降低（圖1），因此建議在高溫運(yùn)行期間檢查是否有異常。
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2010年，中國(guó)移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)用戶規(guī)模達(dá)到3.03億人2011年，中國(guó)移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)行業(yè)進(jìn)入了更加快速發(fā)展的一年，無論是用戶規(guī)模還是手機(jī)應(yīng)用下載次數(shù)都有了快速的增長(zhǎng)。在移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的大的趨勢(shì)下，中自傳媒已經(jīng)開始進(jìn)行區(qū)別于傳統(tǒng)互聯(lián)網(wǎng)的運(yùn)營(yíng)模式探索，伴隨著產(chǎn)業(yè)鏈和產(chǎn)業(yè)格局的變化提供創(chuàng)新的服務(wù)
