在電力電子領(lǐng)域，當多個SiC MOSFET模塊并聯(lián)時，受器件參數(shù)、寄生參數(shù)等因素影響，會出現(xiàn)動態(tài)電流不均的問題，制約系統(tǒng)性能。本章節(jié)帶你探究SiC MOSFET模塊并聯(lián)應(yīng)用中的動態(tài)均流問題。

MOSFET模塊并聯(lián)的動態(tài)均流是指在多個MOSFET模塊并聯(lián)工作時，在開關(guān)轉(zhuǎn)換過程中（即開通、關(guān)斷的過程），使各個MOSFET模塊之間的電流能均勻分配。

1.1 動態(tài)不均流產(chǎn)生的原因

1. 器件參數(shù)離散性：制造工藝的差異使得SiC MOSFET的通態(tài)電阻R_DS(on)、閾值電壓V_GS(th)、柵極電容C_iss、C_oss等參數(shù)存在離散性，在開關(guān)過程中，這些參數(shù)差異會導(dǎo)致動態(tài)電流不平衡。

2. 寄生參數(shù)影響：柵極驅(qū)動、主回路寄生參數(shù)（如雜散電感L_s）等因素，也會導(dǎo)致動態(tài)電流不平衡。

3. 溫度：局部溫度差異通過影響SiC MOSFET的電氣特性影響均流。溫度會影響SiC MOSFET的閾值電壓V_GS(th)，如第18講《SiC MOSFET的動態(tài)特性》圖1所示，溫度升高時，閾值電壓V_GS(th)會降低，導(dǎo)致高溫的器件率先開通。另外，溫度會影響器件內(nèi)部載流子壽命和遷移率，從而導(dǎo)致其開關(guān)時間差異，進而影響動態(tài)過程中的電流均衡。

1.2 動態(tài)不均流的影響

1. 器件損耗不均衡：動態(tài)不均流問題會使各并聯(lián)MOSFET模塊通過的電流不一致。電流大的器件通態(tài)損耗和開關(guān)損耗增加。

2. 降低系統(tǒng)可靠性：動態(tài)不均流問題使部分器件承受較大的電流應(yīng)力和熱應(yīng)力，容易引發(fā)器件的故障。

3. 限制系統(tǒng)性能提升：為了避免因動態(tài)不均流問題導(dǎo)致器件損壞，電路設(shè)計時往往需要降額使用，或者選擇額定電流較大的SiC MOSFET模塊，或者降低電路的工作頻率、輸出功率等。這在一定程度上限制了系統(tǒng)性能的提升，無法充分發(fā)揮SiC MOSFET模塊的優(yōu)勢，不利于實現(xiàn)系統(tǒng)的小型化、高效化設(shè)計。

4. 產(chǎn)生電磁干擾：動態(tài)電流不均衡可能會導(dǎo)致電路中的電流波形出現(xiàn)畸變，產(chǎn)生高頻諧波分量。

在SiC MOSFET模塊并聯(lián)應(yīng)用中實現(xiàn)動態(tài)均流需要考慮多方面因素，以下從器件選擇、電路布局設(shè)計、驅(qū)動電路設(shè)計、散熱處理等維度作簡要介紹：

1）器件選擇與篩選

參數(shù)一致性：挑選并聯(lián)應(yīng)用的SiC MOSFET模塊時，要確保關(guān)鍵參數(shù)，如閾值電壓、跨導(dǎo)等的一致性。這些參數(shù)的差異會直接影響模塊的開關(guān)特性和電流分配，參數(shù)離散性越小，越有利于實現(xiàn)動態(tài)均流。一般來說，同一批次的模塊電氣性能比較接近，因此，在選擇并聯(lián)的模塊時，通常選用同一批次的模塊。

2）電路布局設(shè)計

對稱布局：采用對稱的電路布局，使各并聯(lián)模塊到電源、負載以及驅(qū)動電路的路徑長度和寄生參數(shù)盡可能一致，讓每個模塊的功率回路和驅(qū)動回路具有相似的電氣特性，減少因布局差異導(dǎo)致的動態(tài)均流問題，如第21講《SiC MOSFET模塊的并聯(lián)-靜態(tài)均流》圖2、圖3所示，經(jīng)過調(diào)整布局布線，可以使流過各器件的電流基本保持相同。

3）驅(qū)動電路設(shè)計