采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC™ MOSFET 1400V G2系列
該封裝技術(shù)支持在 260°C 溫度下進(jìn)行多達(dá)三次回流焊操作，并可在結(jié)溫高達(dá) 200°C 的條件下實(shí)現(xiàn)可靠運(yùn)行，同時(shí)確保出色的峰值電流能力。借助英飛凌.XT 互聯(lián)技術(shù)，這些器件在嚴(yán)苛的應(yīng)用環(huán)境下，依舊可實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的熱性能以及更強(qiáng)的機(jī)械可靠性。全新 1400 V 電壓等級為更快的開關(guān)速度提供了額外裕量，并簡化了過壓保護(hù)措施。這有助于降低對功率降額使用的需求，同時(shí)提升整個(gè)系統(tǒng)的可靠性。
采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC™ MOSFET 1400V G2，其導(dǎo)通電阻（RDS(on)）等級涵蓋6 至 29 毫歐（mΩ），適用于對高功率密度要求嚴(yán)苛的應(yīng)用場景，例如商用、工程和農(nóng)用車輛（CAVs）、電動(dòng)汽車充電以及電池儲能系統(tǒng)。英飛凌還提供采用高爬電距離 TO-247-4 封裝的 CoolSiC™ MOSFET 1400 V 系列。該產(chǎn)品組合的RDS(on) 等級范圍為11至38mΩ，其器件同樣適用于光伏等應(yīng)用場景。
供貨情況
采用 TO-247PLUS-4 回流焊封裝與 TO-247-4 封裝的 CoolSiC™ MOSFET 1400 V G2 系列現(xiàn)已上市。更多信息請?jiān)L問：www.infineon.com/part/IMYR140R006M2H。
