三菱電機(jī)最新開發(fā)了全SiC、混合SiC的SLIMDIP產(chǎn)品，與超小型全SiC DIPIPM相比，全SiC、混合SiC的SLIMDIP體積更小，其電源也不再需要18V電源，可以在現(xiàn)有Si SLIMDIP封裝的PCB方案上直接替換，兩個(gè)型號(hào)產(chǎn)品的規(guī)格見下表1。
圖1為全SiC SLIMDIP的內(nèi)部電路，內(nèi)置了新開發(fā)的SiC MOSFET芯片，其輸出功率較現(xiàn)有硅基RC-IGBT SLIMDIP模塊顯著提高，全SiC SLIMDIP模塊將功率損耗降低了79%(1)，顯著提升家電能效。當(dāng)應(yīng)用于空調(diào)壓縮機(jī)逆變器電路時(shí)，更可實(shí)現(xiàn)年功率損耗降低80%(2)。
圖2為混合SiC SLIMDIP的內(nèi)部電路，將SiC MOSFET和RC-IGBT集成到模塊中。采用同一IC來驅(qū)動(dòng)并聯(lián)的SiC MOSFET和Si RC-IGBT，但是兩者的驅(qū)動(dòng)時(shí)序有所差異。與目前的硅基模塊相比，混合SiC SLIMDIP能夠?qū)⒐慕档?7%(1)。當(dāng)應(yīng)用于空調(diào)壓縮機(jī)逆變器電路時(shí)，更可實(shí)現(xiàn)年功率損耗降低41%(2)。
在上一篇《SiC DIPIPM在變頻家電中的應(yīng)用（1）》，我們介紹了超小型全SiC DIPIPM，其與全SiC SLIMDIP的對(duì)比見表2。
兩者的損耗對(duì)比（單個(gè)芯片）如下圖3所示，全SiC SLIMDIP的損耗相對(duì)更低一點(diǎn)。對(duì)比工況為：Vcc=310VDC，Io=7.5Apeak，fc=20kHz，SPWM調(diào)制，M=1，fo=50Hz，Vd=15V（PSF15SG1G6），Vd=18V（PSF15S92F6-A6）。
