CoolSiC™ MOSFET 400 V G2產(chǎn)品組合專(zhuān)為滿足高功率與計(jì)算密集型應(yīng)用需求而設(shè)計(jì)，適用于包括AI服務(wù)器電源在內(nèi)的多種場(chǎng)景
與傳統(tǒng)的250V和300V電壓等級(jí)的硅（Si）技術(shù)相比，CoolSiC™ G2 400V和440V MOSFET在120°C工作溫度下的導(dǎo)通損耗可降低多達(dá)50%，這歸功于其導(dǎo)通電阻R(DS(on)隨結(jié)溫（Tj）變化的平穩(wěn)表現(xiàn)。此外，其開(kāi)關(guān)性能指標(biāo)顯著提升，反向恢復(fù)電荷相比傳統(tǒng)技術(shù)減少了至少五倍。在系統(tǒng)層面，CoolSiC™ G2 400V和440V MOSFET在用于三電平飛跨電容CCM圖騰柱PFC ，相較于交錯(cuò)式兩電平CCM圖騰柱PFC電路，峰值電源效率提升最高可達(dá)0.4%，相當(dāng)于峰值效率下系統(tǒng)損耗減少約15%。
供貨情況
CoolSiC™ MOSFET 400V和440V G2產(chǎn)品組合現(xiàn)已上市。更多詳情，敬請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：www.infineon.com/coolsic-400v。
