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第2講:IGBT/IPM/DIPIPM定義及應(yīng)用基礎(chǔ)(2)

已有10768次閱讀2025-10-27標(biāo)簽:
 
所謂IGBT模塊就是把兩個或兩個以上的IGBT芯片按照一定的拓撲結(jié)構(gòu)進行連接,與輔助電路一起被封裝到同一絕緣樹脂外殼內(nèi)而形成的IGBT組件。與分立的IGBT相比,具有體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外部接線簡單、便于維修安裝的諸多優(yōu)點,同時IGBT模塊封裝的標(biāo)準化設(shè)計使用戶在選用IGBT模塊時自由度更大。IGBT模塊在中大功率的電力變換裝置中占有主要地位。圖9、圖10分別是2單元及6單元IGBT模塊的圖片及拓撲結(jié)構(gòu)圖。
相比較分立IGBT,采用IGBT模塊的電力變換裝置在集成度、結(jié)構(gòu)的緊湊性、安裝的維修便利方面有了很大提高,同時由于內(nèi)部封裝的多個IGBT共用同一散熱器,因此在散熱器設(shè)計方面,與分立IGBT相比難度較低,由圖11可以看出,整個IGBT模塊可以和整流橋共用一個散熱器,散熱系統(tǒng)簡單、緊湊。但在驅(qū)動電路設(shè)計方面與分立IGBT相比沒有明顯改善,圖12是光耦驅(qū)動的IGBT模塊的驅(qū)動示意圖,IGBT模塊驅(qū)動需要設(shè)計較為復(fù)雜的驅(qū)動及保護電路、需要較長的設(shè)計及驗證時間。在發(fā)生過流、短路、欠壓、過溫等故障時,若不能及時保護,IGBT模塊會發(fā)生損壞,嚴重影響電力變換裝置的可靠性,這也限制了IGBT模塊在某些需要高可靠性領(lǐng)域的應(yīng)用。

IPM即Intelligent Power Module(智能功率模塊)的縮寫,它是通過優(yōu)化設(shè)計將IGBT連同其驅(qū)動電路和多種保護電路封裝在同一模塊內(nèi),使電力變換裝置的設(shè)計者從繁瑣的IGBT驅(qū)動和保護電路設(shè)計中解脫出來,大大降低了功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用難度,縮短了設(shè)計周期,同時提高了系統(tǒng)的可靠性。
IGBT從誕生之日起就在電力變換的各個領(lǐng)域發(fā)揮重要作用,從傳統(tǒng)的家用電器、工業(yè)變頻器、電源逆變器、電焊機等領(lǐng)域到新型的高鐵、機器人、高壓輸變電、電動汽車等新型領(lǐng)域都能看到IGBT的身影,這些新型領(lǐng)域?qū)τ贗GBT可靠性要求也越來越高,由于IGBT器件的固有特性,當(dāng)出現(xiàn)過流、短路、過壓時如不能及時保護,往往在十幾微秒乃至數(shù)微秒內(nèi)就會導(dǎo)致IGBT損壞,造成電力變換系統(tǒng)停機事故。為了解決IGBT在驅(qū)動保護、可靠性方面的不足,上世紀九十年代,三菱電機的工程師們提出了IPM的概念,把驅(qū)動和多種保護電路封裝在同一模塊,以改善IGBT驅(qū)動保護方面的不足。IPM首先在日本市場研發(fā)成功并量產(chǎn),之后在工業(yè)變頻器、伺服驅(qū)動器以及變頻空調(diào)器上得到了廣泛應(yīng)用,獲得了極大成功,成為又一種具有劃時代意義的新型功率半導(dǎo)體器件。
下圖13是IPM模塊相較IGBT模塊的主要技術(shù)改進點

由圖13可以看出相比較IGBT模塊,IPM應(yīng)用過程中,不再需要用戶自己設(shè)計驅(qū)動保護電路,IGBT的驅(qū)動及保護由IPM內(nèi)部電路來完成。圖14是一種兩單元IPM模塊圖片及內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖。
IPM模塊內(nèi)置驅(qū)動保護電路, 驅(qū)動電路的內(nèi)置,使用戶在應(yīng)用時,不必再設(shè)計需要正負電源的IGBT驅(qū)動電路,也不需要設(shè)計短路電流檢測電路、過溫保護電路,這將大大簡化PCB設(shè)計時間,同時對整個電力變換裝置的評估時間也大大縮短,有助于用戶迅速推出新產(chǎn)品。除了短路保護、過溫保護功能外,IPM還具有控制電源欠壓保護、故障信號輸出功能,完善的保護功能,使采用了IPM的電力變換裝置的可靠性得到大幅提高。特別是對性能、可靠性要求高的領(lǐng)域,如電梯變頻器、UPS電源、伺服控制器等都在廣泛應(yīng)用IPM。在散熱設(shè)計上,IPM的內(nèi)部IGBT單元可以共用同一散熱器,并且內(nèi)置IGBT芯片溫度傳感器,可以對6個IGBT芯片的溫度進行實時監(jiān)控,在發(fā)生過溫時及時關(guān)閉IGBT并給出故障信號,從而使IPM在熱設(shè)計方面比IGBT模塊更可靠。IPM可靠性提高付出的代價是設(shè)計制造相對復(fù)雜,成本較高,圖15是一種6單元IPM內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖。
在第一講中,我們了解了功率器件的分類及其發(fā)展的歷史,在本講中重點介紹了IGBT及IPM的概念、應(yīng)用要點、分立IGBT→IGBT模塊→IPM的進化過程。以上這些功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)知識的介紹,是為了更好地理解后面講座中重點介紹的產(chǎn)品DIPIPMTM及其應(yīng)用,DIPIPMTM是雙列直插智能功率模塊的英文縮寫,可以說DIPIPMTM是一種小型化的IPM。它采用了壓注模封裝,內(nèi)置了HVIC,外圍電路變得更加簡單而節(jié)約成本,與IPM相比擁有許多自己的特點,下圖16給出了DIPIPMTM與IPM應(yīng)用電路對比,對于DIPIPMTM其內(nèi)置了HVIC,應(yīng)用電路中不再需要光耦進行隔離,采用自舉電路,只需要單路15V控制電源即可。圖17給出了DIPIPMTM與IPM內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)及優(yōu)缺點對比,相比IPM,DIPIPMTM更易于設(shè)計使用,成本更低,特別適合大批量制造及應(yīng)用。

DIPIPMTM的發(fā)展可以追溯到上世紀90年代,并且隨著小功率變頻應(yīng)用的發(fā)展而不斷發(fā)展壯大,特別是在變頻家電領(lǐng)域,更是占據(jù)了極高的市場份額。接下來的講座中,將重點圍繞DIPIPMTM的發(fā)展歷史→結(jié)構(gòu)特點→選型原則→電路設(shè)計→評價方法→健康管理→生產(chǎn)管理→應(yīng)用技巧等方方面面展開詳細討論,敬請期待…

1) IGBT芯片是IGBT分立器件、IGBT模塊、IPM、DIPIPMTM等關(guān)聯(lián)器件的核心,要充分發(fā)揮器件的性能,需要更好地了解器件的開通特性和關(guān)斷特性及這些特性與器件寄生參數(shù)之間的關(guān)系。
2) 對于分立IGBT的實際應(yīng)用來說,驅(qū)動保護設(shè)計與散熱設(shè)計是其中兩個最重要的技術(shù)要點,對于器件的運行乃至電力變換裝置的可靠性和壽命至關(guān)重要。
3) IGBT模塊驅(qū)動需要設(shè)計較為復(fù)雜的驅(qū)動及保護電路、需要較長的設(shè)計及驗證時間。
4) IPM是通過優(yōu)化設(shè)計將IGBT連同其驅(qū)動電路和多種保護電路封裝在同一模塊內(nèi),大大降低了功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用難度,縮短了設(shè)計周期,同時提高了系統(tǒng)的可靠性。
5) DIPIPM是雙列直插智能模塊的英文縮寫,可以說DIPIPM是一種小型化的IPM,但與IPM相比,又有許多自己的特點,更易于使用,成本更低。

主要參考文獻:

[1]袁立強,趙爭鳴,宋高升,王正元;《電力半導(dǎo)體器件原理與應(yīng)用》

 
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