憑借英飛凌的 CoolSiC™ MOSFET G2 技術(shù)，新產(chǎn)品較上一代 CoolSiC™ MOSFET功率密度提升超過(guò)30%，使用壽命延長(zhǎng)高達(dá) 20 倍。此外，該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）顯著降低約 25%。不僅如此，全新的 EasyPACK™ C 封裝設(shè)計(jì)理念進(jìn)一步提高了功率密度與布局靈活性，為未來(lái)更高電壓等級(jí)的產(chǎn)品設(shè)計(jì)奠定了基礎(chǔ)。而英飛凌的.XT 互連技術(shù)進(jìn)一步延長(zhǎng)了器件的使用壽命。
英飛凌CoolSiC™ MOSFET Easy 2C .XT
該系列模塊可承受結(jié)溫（Tvj(over)）高達(dá) 200°C 的過(guò)載開關(guān)工況。搭載全新 PressFIT 壓接引腳，其電流承載能力提升一倍，同時(shí)降低PCB板的溫度，并優(yōu)化安裝流程。全新的塑封材質(zhì)與硅凝膠設(shè)計(jì)，支持該模塊在最高 175°C 的結(jié)溫（Tvj(op)）下依然穩(wěn)定運(yùn)行。此外，該系列模塊還具備一分鐘內(nèi)耐受3千伏交流電的隔離等級(jí)。這些特性共同助力該模塊實(shí)現(xiàn)更卓越的系統(tǒng)能效、更長(zhǎng)的使用壽命，以及更出色的耐高溫性能。
采用 EasyPACK™ C 封裝的全新模塊提供多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，包括三電平（3-level）和 H 橋（H-bridge）配置，且同時(shí)提供含/不含熱界面材料的兩種版本。
供貨情況
首款采用 EasyPACK™ C 封裝且集成 CoolSiC™ MOSFET G2 技術(shù)的模塊現(xiàn)已上市。英飛凌計(jì)劃進(jìn)一步拓展產(chǎn)品組合，以滿足不同應(yīng)用領(lǐng)域不斷變化的需求。更多信息，敬請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：www.infineon.com/products/power/mosfet/silicon-carbide/modules。
