Vcc
在無開關動作狀態(tài)下P-N端子間最大電壓。如果P-N間的電壓超過此值，則需要在電路中追加諸如制動電路等抑制母線電壓上升的措施。
Vcc(surge)
在開關動作狀態(tài)下P-N端子間的最大浪涌電壓，如果P-N間的電壓超過此值，則需追加吸收電路或減少布線的寄生電感來抑制母線電壓浪涌。
Vcc(PROT)：自保護起作用的直流母線電壓限制（短路保護能力）
在短路或過流故障時能夠保證IGBT安全關斷的最大母線電壓，如果母線電壓超過此值，可能損壞功率芯片。
VCES：IGBT集電極-發(fā)射極之間電壓
VCES為模塊內部IGBT芯片集電極-發(fā)射極之間能承受的最大耐壓值，在實際應用中應確保實際施加到IGBT芯片C-E上的電壓低于VCES。
Ic：IGBT集電極電流
Ic為DIPIPM™內部IGBT芯片集電極在Tc=25℃時所能允許流過的直流電流最大值。IGBT作為開關器件，實際流過的是脈沖電流，工作時周期性的開通和關斷必然帶來開關損耗，從而導致內部功率芯片的結溫變高。在實際工作中，模塊工作電流一般小于規(guī)格書中Ic。合適的工作電流值既要保證DIPIPM™關斷時刻的電壓值在安全工作區(qū)內，也要保證內置功率芯片的結溫在安全范圍內(≤Tjmax)。
ICP：IGBT集電極峰值電流
ICP描述的是DIPIPM™內部IGBT芯片集電極在Tc=25℃時所能流過的脈沖電流峰值。因為不是持續(xù)工作，脈沖電流的寬度以及重復率一定要確保芯片結溫不超過其最大結溫值(≤Tjmax)。
VD/VDB：控制電源電壓
VD為施加于VP1-VNC、VN1-VNC之間的電源電壓，VDB為施加于P側自舉端VUFB-U、VVFB-V、VWFB-W之間的電源電壓。兩者均不可超過20V，否則可能使模塊控制側過壓失效，進而導致控制信號紊亂造成橋臂直通短路。
Tj：功率芯片結溫
盡管內置功率芯片最大的結溫定額是Tjmax=150℃或175℃，但考慮到安全運行，推薦將平均結溫Tjave限制在125℃或150℃以內。重復的溫度變化ΔTj會影響模塊的壽命即功率循環(huán)次數，需要依據壽命曲線來進行安全設計。
Tc：模塊工作殼溫Tc
被定義為指定功率芯片正下方的溫度，將溫度傳感器放在散熱面的指定位置上可以測得準確的溫度信息，如圖2所示，不同型號產品請查看各自規(guī)格書，Tc測試點一般設定在模塊VN-IGBT的正下方。當采用不同的控制策略時，Tc最高溫度點可能不在上述位置，此時有必要將測量點調整到溫度最高的功率芯片正下方。
Tstg：存儲溫度
Rth(j-c)Q/Rth(j-c)F：熱阻
