英飛凌 CoolMOS™ 8全系封裝產(chǎn)品

英飛凌的 MOSFET 產(chǎn)品聚焦高性能、高可靠性和易用性，可實(shí)現(xiàn)出色的能效表現(xiàn)和高功率密度。600V CoolMOS™ 8 超結(jié)（SJ）MOSFET 專為實(shí)現(xiàn)出色的效率、可靠性并節(jié)約成本而設(shè)計(jì)。能夠在600V CoolMOS™ 7與CoolMOS™ 8之間無(wú)縫切換以實(shí)現(xiàn)供應(yīng)靈活性，以及在 LLC 階段的易用性，是長(zhǎng)城電源選擇該技術(shù)的主要原因之一。

英飛凌科技副總裁、高壓功率開(kāi)關(guān)產(chǎn)品線負(fù)責(zé)人 Christina Guggenberger 表示：“英飛凌通過(guò)硅基功率 MOSFET 技術(shù)，為客戶帶來(lái)卓越的性能、可靠性與成本效益，為全球市場(chǎng)樹(shù)立了創(chuàng)新與卓越的行業(yè)標(biāo)桿。我們的 CoolMOS™ 8技術(shù)正是這一承諾的絕佳例證，它為打造滿足數(shù)據(jù)中心應(yīng)用嚴(yán)苛要求的高性能電源解決方案提供了強(qiáng)大支持。”

長(zhǎng)城電源首席技術(shù)官金博士表示：“與英飛凌的持續(xù)深化合作，讓我們得以借助其行業(yè)領(lǐng)先的 CoolMOS™ 8 超結(jié)（SJ）MOSFET 技術(shù)，提升我們的系統(tǒng)性能并實(shí)現(xiàn)更高的成本效益。這一合作體現(xiàn)了我們?cè)谛袠I(yè)內(nèi)追求創(chuàng)新與卓越的堅(jiān)定決心。我們很高興地看到，我們現(xiàn)在為客戶提供的電源解決方案（PSU）在功率密度和成本節(jié)約方面實(shí)現(xiàn)了顯著提升。”

英飛凌最新推出的600V CoolMOS™ 8在全球高壓超結(jié) MOSFET 技術(shù)領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位，為全球范圍內(nèi)的技術(shù)水平及性價(jià)比樹(shù)立了標(biāo)桿。該技術(shù)提升了整體系統(tǒng)性能，并進(jìn)一步助力推動(dòng)在充電器、適配器、光伏及儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電設(shè)備，以及不間斷電源（UPS）等領(lǐng)域的低碳化進(jìn)程。與 CFD7系列相比，CoolMOS™ 8 超結(jié)（SJ）MOSFET 的柵極電荷降低了18%；與 P7系列相比，柵極電荷降低了33%。柵極電荷減少意味著使 MOSFET 從關(guān)斷狀態(tài)（非導(dǎo)通）切換至導(dǎo)通狀態(tài)所需提供的電荷量更少，從而實(shí)現(xiàn)更高能效的系統(tǒng)性能。此外，該 MOSFET 擁有市面上更快的關(guān)斷時(shí)間，且熱性能較上一代產(chǎn)品提升了14%至42%。600V CoolMOS™ 8 超結(jié)（SJ）MOSFET 內(nèi)置快速體二極管，提供 SMD-QDPAK、TOLL 及 ThinTOLL-8x8等封裝形式，適用于廣泛的消費(fèi)類及工業(yè)類應(yīng)用場(chǎng)景。

除碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）技術(shù)外，英飛凌的功率 MOSFET 在性能、可靠性、品質(zhì)及性價(jià)比方面樹(shù)立了行業(yè)標(biāo)桿，不僅能實(shí)現(xiàn)一流的應(yīng)用效果，還助力客戶開(kāi)發(fā)兼具創(chuàng)新性與成本效益的解決方案，以滿足各類嚴(yán)苛需求。

供貨情況

600V和650V CoolMOS™ 8 超結(jié)（SJ）MOSFET的樣品現(xiàn)已開(kāi)放訂購(gòu)。更多信息，敬請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：www.infineon.com/coolmos8。