在全球能源轉(zhuǎn)型與智能化浪潮的推動(dòng)下，功率半導(dǎo)體作為電力電子系統(tǒng)的核心器件，正迎來前所未有的發(fā)展機(jī)遇。從新能源汽車的電機(jī)驅(qū)動(dòng)到光伏電站的逆變系統(tǒng)，從5G基站的電源管理到工業(yè)機(jī)器人的精密控制，功率半導(dǎo)體的性能直接決定了能源轉(zhuǎn)換效率與系統(tǒng)可靠性。
作為中國(guó)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，賽晶亞太半導(dǎo)體（以下簡(jiǎn)稱“賽晶”）攜全系列功率半導(dǎo)體解決方案重磅登場(chǎng)PCIM Asia 2025展會(huì)。本次展會(huì)，賽晶帶來的展品覆蓋IGBT、碳化硅（SiC）芯片及模塊全品類，從適配新能源汽車的HEEV封裝SiC模塊，到滿足工業(yè)控制需求的ED封裝IGBT模塊，均為針對(duì)當(dāng)前行業(yè) “高效、可靠、小型化” 需求研發(fā)的核心產(chǎn)品。
展會(huì)期間，《變頻器世界》有幸采訪了賽晶半導(dǎo)體科技（浙江）有限公司總經(jīng)理張強(qiáng)，分享了賽晶在產(chǎn)品和技術(shù)領(lǐng)域的最新進(jìn)展和未來的規(guī)劃。
賽晶半導(dǎo)體科技（浙江）有限公司總經(jīng)理張強(qiáng)
新品迭出，拓展功率半導(dǎo)體版圖
今年以來，賽晶陸續(xù)完成多款自研半導(dǎo)體新產(chǎn)品研發(fā)，并且進(jìn)一步豐富了產(chǎn)品種類，擴(kuò)展了下游市場(chǎng)需求的覆蓋范圍。本次展會(huì)，賽晶帶來了采用微溝槽設(shè)計(jì)的第七代i23系列IGBT芯片，及采用該芯片的ED封裝IGBT模塊，和FP封裝、EP封裝、TF封裝等多款I(lǐng)GBT模塊新產(chǎn)品。還有達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平（1200V/13mΩ）的自研SiC芯片，以及配套推出HEEV、EVD封裝模塊。據(jù)了解，兩類產(chǎn)品均完成從芯片設(shè)計(jì)到模塊封裝的垂直整合，產(chǎn)品矩陣覆蓋工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)與定制化需求，印證技術(shù)自主性提升與產(chǎn)業(yè)化能力進(jìn)階。
賽晶的IGBT芯片和模塊產(chǎn)品已經(jīng)累積了良好的競(jìng)爭(zhēng)壁壘，在功率密度、綜合損耗，以及可靠性、魯棒性等諸多關(guān)鍵性能上，實(shí)現(xiàn)超越國(guó)內(nèi)外同類產(chǎn)品的卓越表現(xiàn)，被譽(yù)為國(guó)產(chǎn)精品IGBT的代表。
“賽晶今年在IGBT領(lǐng)域突破不斷，新推出的模塊通過芯片技術(shù)迭代，將相同體積的模塊電流從600A提升至900A，明年還將推出1000A的模塊，單體功率提高30%。”張強(qiáng)以新推出的i23 1700V 900A系列IGBT模塊為例介紹道，該模塊采用經(jīng)典ED封裝，i23芯片采用微精細(xì)溝槽柵技術(shù)，實(shí)現(xiàn)超低損耗Eon+Eoff，同時(shí)也具有高短路能力，以解決芯片高電流密度面臨的挑戰(zhàn)。支持長(zhǎng)期運(yùn)行結(jié)溫175°C（Tvjop），集成NTC溫度傳感器，確保高溫工況下的穩(wěn)定運(yùn)行，顯著增加了器件的輸出能力，大幅提高系統(tǒng)的功率密度，為風(fēng)電、工控和新能源等領(lǐng)域帶來突破性的解決方案。
展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，HEEV封裝SiC模塊和EVD封裝SiC模塊產(chǎn)品，同樣受到了與會(huì)者的高度關(guān)注。HEEV封裝、EVD封裝SiC模塊采用行業(yè)領(lǐng)先的設(shè)計(jì)和封裝工藝，具有非常出色的散熱性能，以及極佳的可靠性、魯棒性，有多個(gè)電流等級(jí)可供選擇，Rds(on)從4mΩ到2mΩ，可以為120kW到250kW的乘用車電驅(qū)提供高性價(jià)比的解決方案。
值得注意的是，今年7月被賽晶收購(gòu)的湖南虹安也攜全系列功率MOSFET、微控制器等產(chǎn)品亮相本次展會(huì)，同樣受到與會(huì)者的高度關(guān)注。張強(qiáng)表示，賽晶收購(gòu)湖南虹安有助于賽晶半導(dǎo)體系統(tǒng)性整合雙方資源，實(shí)現(xiàn)協(xié)同效應(yīng)，如補(bǔ)充技術(shù)團(tuán)隊(duì)、在碳化硅（SiC）技術(shù)上形成互補(bǔ)，還可共享供應(yīng)鏈和市場(chǎng)資源，提升供應(yīng)鏈穩(wěn)定性，擴(kuò)大市場(chǎng)范圍和份額等。
技術(shù)突圍，構(gòu)建差異化競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)
在全球能源轉(zhuǎn)型與"雙碳"目標(biāo)的驅(qū)動(dòng)下，功率半導(dǎo)體作為新能源、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的核心器件，正經(jīng)歷著前所未有的需求爆發(fā)。然而，這片看似充滿機(jī)遇的藍(lán)海，卻暗藏著行業(yè)結(jié)構(gòu)性矛盾。一方面，下游應(yīng)用端對(duì)高效率、高可靠性的產(chǎn)品需求持續(xù)升級(jí)；另一方面，部分細(xì)分領(lǐng)域卻陷入“價(jià)格戰(zhàn)”的惡性循環(huán)。
面對(duì)市場(chǎng)日益激烈的競(jìng)爭(zhēng)，賽晶勇做行業(yè)一股“清流”，始終堅(jiān)持“不內(nèi)卷，做自己”的戰(zhàn)略方針，拒絕單純的價(jià)格戰(zhàn)，通過技術(shù)差異化實(shí)現(xiàn)突圍。
張強(qiáng)進(jìn)一步解釋道，在技術(shù)方面，賽晶提升產(chǎn)品功能密度和電流密度，使相同尺寸芯片輸出能力更強(qiáng)，降低客戶單位千瓦成本。例如，相同硅片產(chǎn)出的芯片數(shù)量固定，但通過技術(shù)迭代使相同面積輸出能力提升，在風(fēng)電、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域，技術(shù)優(yōu)勢(shì)可轉(zhuǎn)化為成本優(yōu)勢(shì)。
在生產(chǎn)成本方面，賽晶降低自身生產(chǎn)成本，將一些8吋產(chǎn)品轉(zhuǎn)向12吋。“對(duì)于相同型號(hào)的芯片而言，采用12吋晶圓進(jìn)行生產(chǎn)，不僅能夠?qū)崿F(xiàn)更高的產(chǎn)出效率，其單片晶圓所產(chǎn)出的芯片數(shù)量可達(dá)8吋晶圓的2.3至2.5倍；且在工藝成本相近的情況下，材料成本的增幅遠(yuǎn)未達(dá)到兩倍。”張強(qiáng)透露，2023年，賽晶就已在國(guó)內(nèi)甚至全球率先實(shí)現(xiàn)大功率二極管在12吋上量產(chǎn)，進(jìn)一步降低IGBT芯片和二極管芯片的物料成本。同時(shí)，產(chǎn)品失效率低，長(zhǎng)期積累的良好使用體驗(yàn)也增強(qiáng)了客戶粘性。
強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，布局碳化硅廣闊未來
根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織預(yù)測(cè)，2025年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)突破6870億美元，其中以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料憑借其高耐壓、高導(dǎo)熱和低損耗特性，成為新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、5G通信等高增長(zhǎng)領(lǐng)域的核心支撐。在張強(qiáng)看來，當(dāng)前碳化硅（SiC）在市場(chǎng)中的應(yīng)用尚未實(shí)現(xiàn)大規(guī)模普及，但其價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)卻已異常激烈。就碳化硅的未來發(fā)展而言，若要確保產(chǎn)品質(zhì)量并有效降低成本，規(guī)�；a(chǎn)效應(yīng)無疑將成為至關(guān)重要的關(guān)鍵因素。
張強(qiáng)還提到，在新能源汽車市場(chǎng)，大部分客戶仍然會(huì)將品質(zhì)、性能放在第一位。而新能源汽車市場(chǎng)一直是賽晶高度重視的領(lǐng)域，并經(jīng)過了長(zhǎng)時(shí)間的布局。隨著HEEV封裝SiC模塊和EVD封裝SiC模塊的推出，以及自研SiC MOSFET芯片逐步量產(chǎn)，賽晶在新能源汽車領(lǐng)域的產(chǎn)品布局正在不斷地完善。
9月12日，賽晶半導(dǎo)體與湖南三安正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。張強(qiáng)直言，湖南三安在碳化硅材料、芯片制造方面的能力，與賽晶半導(dǎo)體在模塊封裝與市場(chǎng)應(yīng)用方面的優(yōu)勢(shì)高度契合。雙方的合作，是賽晶半導(dǎo)體平衡技術(shù)領(lǐng)先性和成本可控性的重要舉措。從長(zhǎng)遠(yuǎn)布局看，湖南三安的全產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢(shì)有助于降低賽晶碳化硅產(chǎn)品成本，增強(qiáng)技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力。同時(shí)，湖南三安技術(shù)團(tuán)隊(duì)對(duì)賽晶工藝完全開放，提供最大程度支持，使賽晶半導(dǎo)體能夠提升產(chǎn)品性能，拉開與同行技術(shù)差異。此外，這一合作也將加速SiC芯片的國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程。
品質(zhì)為基，贏得客戶長(zhǎng)久信任
在功率器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈的當(dāng)下，國(guó)產(chǎn)功率器件面臨著諸多挑戰(zhàn)，其中客戶信任度問題尤為突出。長(zhǎng)期以來，部分客戶受傳統(tǒng)觀念影響，對(duì)國(guó)產(chǎn)功率器件的性能、可靠性和穩(wěn)定性存在疑慮，這在一定程度上限制了國(guó)產(chǎn)功率器件的市場(chǎng)拓展和應(yīng)用。
張強(qiáng)坦言，作為國(guó)產(chǎn)技術(shù)研發(fā)與創(chuàng)新領(lǐng)域的先鋒企業(yè)，賽晶贏得客戶及市場(chǎng)的信任的原因就是產(chǎn)品失效率低，質(zhì)量經(jīng)得起時(shí)間的驗(yàn)證。比如應(yīng)用在儲(chǔ)能領(lǐng)域的模塊產(chǎn)品，客戶可以做到一直使用，賽晶的品質(zhì)是經(jīng)得起考驗(yàn)的。此外，賽晶始終堅(jiān)定不移地維持技術(shù)的先進(jìn)性，同時(shí)以足夠的耐心深耕市場(chǎng)。
據(jù)了解，為保證產(chǎn)品高可靠性，賽晶分別從設(shè)計(jì)階段和量產(chǎn)階段嚴(yán)格把控。在設(shè)計(jì)階段，賽晶有明確目標(biāo)和思路，進(jìn)行評(píng)估仿真驗(yàn)證，為量產(chǎn)低失效率奠定基礎(chǔ)。在量產(chǎn)階段，賽晶憑借達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先質(zhì)量水平標(biāo)準(zhǔn)的生產(chǎn)線，保證了產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定性和一致性。可以說，賽晶的產(chǎn)品經(jīng)過嚴(yán)格的質(zhì)量控制和精密的生產(chǎn)工藝，使得最終產(chǎn)品良率高，產(chǎn)品一致性好。
“未來，我們將持續(xù)致力于新一代芯片的研發(fā)工作，不斷推陳出新；同時(shí)，亦將著力拓展現(xiàn)有芯片技術(shù)平臺(tái)的應(yīng)用范疇，使其覆蓋更廣泛的電流與電壓區(qū)間。在碳化硅技術(shù)領(lǐng)域，我們還將積極尋求與產(chǎn)業(yè)鏈中具備深厚規(guī)模基礎(chǔ)與強(qiáng)大實(shí)力的廠商建立更為緊密、深入的合作關(guān)系。”張強(qiáng)對(duì)賽晶的未來發(fā)展充滿信心。
寫在最后
在全球能源轉(zhuǎn)型與智能化浪潮的激蕩下，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)風(fēng)起云涌，機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存。賽晶半導(dǎo)體作為中國(guó)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍者，憑借持續(xù)的新品研發(fā)、獨(dú)特的技術(shù)突圍策略、深度的產(chǎn)業(yè)鏈合作以及對(duì)產(chǎn)品品質(zhì)的執(zhí)著堅(jiān)守，在這片充滿變數(shù)的市場(chǎng)中穩(wěn)步前行。
從豐富多樣的新品展出，到拒絕“價(jià)格戰(zhàn)”堅(jiān)持技術(shù)差異化；從積極與產(chǎn)業(yè)鏈伙伴攜手共進(jìn)，到以高品質(zhì)產(chǎn)品贏得客戶信任，賽晶的每一步都彰顯著其對(duì)行業(yè)趨勢(shì)的精準(zhǔn)把握和對(duì)自身發(fā)展的堅(jiān)定信念。我們有理由相信，賽晶必將在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域綻放更加耀眼的光芒，為推動(dòng)全球能源轉(zhuǎn)型和智能化發(fā)展貢獻(xiàn)更多的中國(guó)力量。
