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英飛凌碳化硅功率半導體成功應用于豐田“bZ4X”新車型

已有316次閱讀2026-02-28標簽:
 2026228日,德國慕尼黑和日本東京訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日宣布,全球最大汽車制造商豐田已在其新款車型bZ4X中采用了英飛凌的CoolSiC™ MOSFET(碳化硅功率MOSFET)產(chǎn)品。這款碳化硅MOSFET集成在車載充電器(OBC)和DC/DC轉(zhuǎn)換器中,利用碳化硅材料低損耗、耐高溫、耐高壓的特性和優(yōu)勢,能夠有效延長電動汽車的續(xù)航里程并縮短充電時間。

 

 

豐田新款bZ4X車型在車載充電器與DC/DC轉(zhuǎn)換器中采用了英飛凌CoolSiC技術(shù)

圖片由豐田提供

 

英飛凌科技執(zhí)行副總裁、汽車業(yè)務首席營銷官Peter Schaefer表示:全球最大的汽車制造商之一豐田選用了英飛凌的CoolSiC技術(shù),對此我們深感自豪。碳化硅能夠有效提升電動汽車的續(xù)航能力、效率和性能,因此也將在塑造未來交通出行的過程中發(fā)揮重要作用。英飛凌矢志創(chuàng)新,承諾零缺陷品質(zhì),已做好充分準備,蓄勢待發(fā),以應對電動交通出行領域功率電子需求的快速增長。

 

英飛凌CoolSiC™ MOSFET采用獨特的溝槽柵結(jié)構(gòu),可降低歸一化導通電阻并縮減芯片尺寸,從而減少導通和開關(guān)損耗,有助于提升汽車車載電源系統(tǒng)的效率。此外,經(jīng)過優(yōu)化的寄生電容和柵極閾值電壓支持單極柵極驅(qū)動,不僅有助于簡化汽車電驅(qū)系統(tǒng)的驅(qū)動電路設計,也能為車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器實現(xiàn)高密度、高可靠性的設計提供支持。

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