英飛凌CoolGaN™ Drive HB 600 V G5產(chǎn)品系列通過集成式半橋解決方案，進(jìn)一步提升氮化鎵的易用性

英飛凌科技氮化鎵業(yè)務(wù)線負(fù)責(zé)人Johannes Schoiswohl表示：“GaN正在變革電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域。英飛凌的使命是通過可擴(kuò)展且易于使用的解決方案，助力客戶充分實(shí)現(xiàn)這一變革。這次新推出的集成式解決方案集高速GaN性能、高集成度和可靠性于一身，可幫助設(shè)計(jì)師加快開發(fā)進(jìn)程、縮小系統(tǒng)體積，并提升效率，突破緊湊型電力電子產(chǎn)品的極限。”

該集成式半橋解決方案是面向低功耗電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)和開關(guān)模式電源而設(shè)計(jì)，可在空間有限的設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)更小的磁性元件與無源元件，更高的全工況效率及動(dòng)態(tài)性能。該器件專為高速精密系統(tǒng)而設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)超快開關(guān)，傳播延遲僅為98 ns，并且失配極小，在支持高效高頻運(yùn)行的同時(shí)保持可預(yù)測的時(shí)序表現(xiàn)。為簡化系統(tǒng)集成，該解決方案提供兼容標(biāo)準(zhǔn)邏輯電平的PWM輸入，僅需單個(gè)12V柵極驅(qū)動(dòng)供電。同時(shí)，快速UVLO恢復(fù)功能可幫助確保啟動(dòng)及電源瞬態(tài)事件中的穩(wěn)定性。為獲得出色的散熱性能，該產(chǎn)品采用6×8 mm² TFLGA-27裸露焊盤封裝，可在眾多應(yīng)用場景中實(shí)現(xiàn)高效散熱并支持無散熱片設(shè)計(jì)。

這些新的解決方案將成熟的CoolGaN™器件技術(shù)、系統(tǒng)級(jí)集成能力，以及深厚的功率轉(zhuǎn)換專業(yè)知識(shí)結(jié)合起來，進(jìn)一步鞏固了英飛凌在GaN市場的領(lǐng)先地位，使客戶能夠更加從容地采用GaN技術(shù)，并在工業(yè)電子和消費(fèi)電子平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)高效設(shè)計(jì)的規(guī)模化應(yīng)用。