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Vishay采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-227封裝的1200 V SiC MOSFET功率模塊提升功率效率

已有298次閱讀2026-03-17標(biāo)簽:
 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海  2026317 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出五款全新的1200 V MOSFET功率模塊---VS-SF50LA120、VS-SF50SA120VS-SF100SA120、VS-SF150SA120VS-SF200SA120,其目標(biāo)在于提升汽車、能源、工業(yè)及通信系統(tǒng)中高頻應(yīng)用的功率效率。Vishay VS-SF50LA120、VS-SF50SA120VS-SF100SA120、VS-SF150SA120VS-SF200SA120采用了Vishay最新一代碳化硅(SiCMOSFET,并且以行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的SOT-227形式進行封裝。

 

此次推出的每個功率模塊都采用單開關(guān)和低邊斬波器配置,內(nèi)置的SiC MOSFET集成了軟體二極管,可實現(xiàn)低反向恢復(fù)特性。這種設(shè)計降低了開關(guān)損耗,提高了效率,可適用于太陽能逆變器、電動汽車(EV)車載充電器、SMPS、直流/直流轉(zhuǎn)換器、不間斷電源(UPS)、暖通空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)、大規(guī)模電池儲能系統(tǒng)以及通信電源設(shè)備等領(lǐng)域。

 

VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120VS-SF150SA120VS-SF200SA120采用緊湊型的SOT-227封裝,使得這些器件能夠作為現(xiàn)有設(shè)計中競品的“即插即用”型替代方案。這樣,設(shè)計人員無需對PCB布局進行更改,即可采用最新的SiC技術(shù),從而節(jié)省成本。模壓封裝還可提供高達2500 V(一分鐘)的電氣絕緣,通過消除組件與散熱器之間對額外絕緣措施的需求,進一步降低了成本。

 

這些功率模塊提供50 A200 A的連續(xù)漏極電流,導(dǎo)通電阻低至12.1 mW。這些器件符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),具備低電容高速開關(guān)特性,并可支持+175 °C的最高工作結(jié)溫。

 

器件規(guī)格表:
VS-SF50LA120、VS-SF50SA120VS-SF100SA120、VS-SF150SA120VS-SF200SA120現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn),供貨周期為13周。
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