這是當(dāng)下電源系統(tǒng)設(shè)計人員面臨的核心挑戰(zhàn)，高效的散熱管理已成為一大設(shè)計難關(guān)。全球市場正加速碳化硅（SiC）技術(shù)的應(yīng)用落地，但散熱設(shè)計卻時常成為掣肘SiC性能發(fā)揮的因素。傳統(tǒng)封裝方案往往力不從心，難以滿足大功率碳化硅應(yīng)用的散熱需求，迫使設(shè)計人員不得不在開關(guān)性能與散熱效率之間做出權(quán)衡。

面對日益嚴(yán)苛的應(yīng)用需求，新型封裝方案提供了更優(yōu)的熱管理能力與運(yùn)行效率。

電氣化挑戰(zhàn)

配電板目前普遍超負(fù)荷運(yùn)行，多數(shù)情況下已觸及散熱能力的極限，工程師再也無法將功率開關(guān)產(chǎn)生的多余熱量傳導(dǎo)至這些配電板上。

D2PAK（TO-263-7L）與TO-247-4L這兩種MOSFET封裝因具備相對出色的散熱性能而被廣泛熟知，但在緊湊的空間中，二者的短板便暴露無遺：

Ÿ TO-247-4L：散熱表現(xiàn)可滿足基本需求，通過簡易的螺絲夾即可與散熱片實(shí)現(xiàn)連接，形成通暢的散熱路徑。但在狹小空間內(nèi)，其引腳、導(dǎo)電線路及周邊電容會形成較大的換流回路（即所有寄生電感的總和），進(jìn)而可能引發(fā)明顯的電壓過沖、開關(guān)速度下降以及開關(guān)損耗增加等問題。

Ÿ D2PAK：作為表面貼裝器件（SMD），憑借較短的銅質(zhì)走線，大幅縮小了換流回路面積，可有效緩解雜散電感問題。相比TO-247-4L，D2PAK也能實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度。然而，D2PAK封裝只能經(jīng)由印刷電路板（PCB）散出熱量，這就造成了散熱片和器件之間的熱阻會變得更大。

設(shè)計人員亟需一種解決方案，在無需犧牲性能、不必擴(kuò)大系統(tǒng)體積的前提下，突破上述性能取舍的兩難困境。T2PAK封裝應(yīng)運(yùn)而生。

T2PAK的特別之處

T2PAK封裝將安森美（onsemi）先進(jìn)的碳化硅技術(shù)與目前應(yīng)用最為廣泛的頂部散熱（TSC）封裝形式相結(jié)合。它獨(dú)具匠心的設(shè)計可兼顧出色的散熱性能與優(yōu)異的開關(guān)性能，不僅兼具TO-247-4L和D2PAK兩種封裝的優(yōu)勢，還能做到無明顯短板。

頂部散熱優(yōu)勢

TSC技術(shù)可在SMD中實(shí)現(xiàn)MOSFET與應(yīng)用散熱片的直接熱耦合，使得熱量能夠脫離配電板，直接傳導(dǎo)至系統(tǒng)的散熱架構(gòu)或金屬外殼中，從而規(guī)避了D2PAK封裝需經(jīng)由PCB散熱所面臨的散熱瓶頸。優(yōu)勢具體如下：

Ÿ 出色的散熱性能：熱量直接傳導(dǎo)至散熱片，可有效降低器件的工作環(huán)境溫度。

Ÿ 降低熱應(yīng)力：將熱量從主板導(dǎo)出，可降低其他元器件承受的熱應(yīng)力，有助于維持PCB處于較低溫度，進(jìn)而延長器件使用壽命并提升系統(tǒng)可靠性。

Ÿ 低雜散電感：像NTT2023N065M3S和NVT2023N065M3S這類具備優(yōu)異開關(guān)特性的器件，其總柵極電荷（≈74nC）與輸出電容（≈195pF）均處于極低水平，可實(shí)現(xiàn)更高的可靠性和更低的損耗。

Ÿ 設(shè)計靈活性：EliteSiC出色的品質(zhì)因數(shù)（FOM），與頂部散熱型T2PAK封裝相結(jié)合，能夠助力設(shè)計人員實(shí)現(xiàn)更高效率、更小尺寸的應(yīng)用方案。

圖 1：車規(guī)級安森美T2PAK封裝EliteSiC M3S系列MOSFET的規(guī)格參數(shù)




圖 2：安森美T2PAK封裝EliteSiC M3S系列MOSFET的規(guī)格參數(shù)

T2PAK產(chǎn)品組合提供豐富的選型方案，其中涵蓋了計劃推出的12mΩ、16mΩ、23mΩ、32mΩ、45mΩ和60mΩ規(guī)格器件，均適配650V和950V電壓等級的EliteSiC M3S系列MOSFET。

一般技術(shù)特性

Ÿ 合規(guī)性：符合IEC 60664-1爬電距離標(biāo)準(zhǔn)，即兩個導(dǎo)電部件沿絕緣材料表面的最短間距需滿足不小于5.6mm的要求。

Ÿ 實(shí)測散熱性能：對于12mΩ規(guī)格的器件，其結(jié)殼熱阻可低至0.35℃/W，散熱表現(xiàn)優(yōu)于D2PAK封裝。

Ÿ 安裝靈活性：可兼容液隙填充劑、導(dǎo)熱墊片及陶瓷絕緣片，便于實(shí)現(xiàn)散熱堆疊結(jié)構(gòu)的優(yōu)化。

市場影響與應(yīng)用

2025年全年，T2PAK產(chǎn)品已在歐洲、美洲及大中華區(qū)開啟全球送樣工作。此款封裝可充分適配各類高要求的工業(yè)及汽車領(lǐng)域應(yīng)用。

圖 3：T2PAK封裝SiC MOSFET器件，適配光伏及電動汽車車載充電等應(yīng)用

電動汽車

在車載充電器（OBC）、傳動系統(tǒng)部件及電動汽車充電樁等電車應(yīng)用場景中，T2PAK往往是需求最為旺盛的封裝方案。由于OBC通常可接入車輛的液冷系統(tǒng)，TSC技術(shù)能夠借助導(dǎo)熱界面，將功率開關(guān)產(chǎn)生的熱量導(dǎo)入液冷系統(tǒng)中。

降低雜散電感可實(shí)現(xiàn)更高的功率效率，因為消除換流回路問題能有效減少開關(guān)損耗。再結(jié)合對IEC爬電距離標(biāo)準(zhǔn)的嚴(yán)格遵守，可進(jìn)一步鞏固制造商對客戶的安全保障承諾。

數(shù)據(jù)中心依賴機(jī)架式AC-DC和DC-DC電源及配電單元運(yùn)行，整個超大規(guī)模架構(gòu)的設(shè)計均圍繞這類電源單元的便捷取用與更換展開。隨著液冷技術(shù)在數(shù)據(jù)中心中逐漸蔚然成風(fēng)，T2PAK原生的頂部散熱設(shè)計可與冷板方案實(shí)現(xiàn)良好兼容。在這種方案下，冷卻液可在緊鄰高熱芯片導(dǎo)熱界面的流道內(nèi)自由循環(huán)，將高性能處理器產(chǎn)生的熱量及時導(dǎo)出。據(jù)近期一項研究顯示，冷板方案結(jié)合浸沒式冷卻技術(shù)，可助力數(shù)據(jù)中心減少多達(dá)五分之一的溫室氣體排放。

通過攻克散熱難題，T2PAK能幫助設(shè)計人員實(shí)現(xiàn)更高性能、更強(qiáng)可靠性并簡化熱管理。相較于傳統(tǒng)分立器件封裝，采用T2PAK可使客戶達(dá)成更高的功率密度。

T2PAK也適用于以下場景：

Ÿ 面向汽車及工業(yè)領(lǐng)域的高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。

Ÿ 面向自動化與機(jī)器人領(lǐng)域的工業(yè)開關(guān)電源（SMPS）。

Ÿ 工業(yè)驅(qū)動器及高效DC-DC轉(zhuǎn)換器。

全球應(yīng)用與未來展望

隨著電源系統(tǒng)不斷演進(jìn)，未來的設(shè)計方案將愈發(fā)依賴頂部散熱技術(shù)，以滿足嚴(yán)苛的效率與尺寸指標(biāo)。安森美已蓄勢待發(fā)，通過將旗下先進(jìn)的碳化硅技術(shù)與T2PAK封裝相結(jié)合，精準(zhǔn)把握行業(yè)發(fā)展契機(jī)。

結(jié)論

在電氣化重塑各行業(yè)格局的大背景下，安森美推出的EliteSiC T2PAK封裝正重新定義高效功率轉(zhuǎn)換的邊界。采用T2PAK TSC封裝的EliteSiC MOSFET，不僅是封裝技術(shù)領(lǐng)域的一次重大突破，更成為推動電氣化進(jìn)程的關(guān)鍵戰(zhàn)略支撐。T2PAK能夠在無需進(jìn)行常規(guī)性能取舍的前提下，實(shí)現(xiàn)出色的散熱表現(xiàn)、高可靠性與靈活的設(shè)計特性，從而攻克了全球各行業(yè)面臨的空間與散熱限制難題。目前，安森美T2PAK已面向廣闊市場開放供應(yīng)，確保這一核心技術(shù)能夠被廣泛應(yīng)用。