當(dāng)2026年的新年鐘聲敲響，全球功率半導(dǎo)體行業(yè)站在了歷史與未來的交匯點。過去一年，行業(yè)在技術(shù)迭代、市場重構(gòu)與地緣博弈的多重浪潮中激流勇進：第三代半導(dǎo)體材料加速滲透，新能源汽車與可再生能源需求持續(xù)井噴，全球供應(yīng)鏈在“去全球化”與“再全球化”的拉鋸中尋找新平衡，而人工智能與算力革命的爆發(fā)，更讓功率器件從幕后走向臺前，成為支撐數(shù)字時代能源轉(zhuǎn)換的核心基石。

在這場變局中，功率半導(dǎo)體企業(yè)既是技術(shù)革命的推動者，也是產(chǎn)業(yè)周期的承受者。從碳化硅（SiC）器件的規(guī)�；�量產(chǎn)到氮化鎵（GaN）在消費電子的滲透，從傳統(tǒng)IDM模式向“Fab-Lite”的靈活轉(zhuǎn)型，從歐美市場的高壁壘突圍到亞太新興需求的深度挖掘——2025年的每一步選擇，都成為企業(yè)定義未來競爭力的關(guān)鍵注腳。

為深入剖析行業(yè)發(fā)展趨勢，《變頻器世界》特別策劃了《破局“內(nèi)卷”，重塑韌性！功率半導(dǎo)體的2026新征途》專題報道，邀請功率半導(dǎo)體頭部企業(yè)及創(chuàng)新力量，通過他們回顧2025年行業(yè)格局變化、技術(shù)突破與市場博弈，展望2026年戰(zhàn)略布局、產(chǎn)能規(guī)劃及技術(shù)路線圖。

本期嘉賓是三菱電機機電（上海）有限公司半導(dǎo)體事業(yè)部應(yīng)用技術(shù)高級經(jīng)理陸思清，接下來還有更多企業(yè)參與專題，敬請期待。

Q1：2025年，貴公司在產(chǎn)品布局、技術(shù)迭代或產(chǎn)業(yè)協(xié)同方面，是否實現(xiàn)了階段性突破？貴公司在技術(shù)突破或市場拓展中采取了哪些差異化策略？

2025年，三菱電機在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了產(chǎn)品布局、技術(shù)迭代的階段性成果，通過硅基與碳化硅雙軌并行、模塊化創(chuàng)新構(gòu)建差異化競爭力。

產(chǎn)品布局上，三菱電機推出覆蓋多場景的解決方案：

● 家電領(lǐng)域：推出Compact DIPIPM™系列，封裝尺寸較前代縮小53%，工作溫度下限拓展至-40℃，適配寒冷地區(qū)熱泵系統(tǒng)；同步發(fā)布SiC SLIMDIP™模塊，全SiC方案降低空調(diào)變頻器功率損耗達79%，與現(xiàn)有硅基封裝兼容，助力廠商快速升級。

Compact DIPIPM^™

● 新能源領(lǐng)域：第8代IGBT模塊（LV100封裝）電流提升至1800A，導(dǎo)通損耗降低30%，適配光伏逆變器與軌道交通。

● 電動汽車領(lǐng)域J3系列SiC模塊支持150–300kW電動汽車主驅(qū)系統(tǒng)，體積較傳統(tǒng)方案縮小60%，并推出繼電器模塊（體積縮減60%）提升電控安全性。

● 工業(yè)高壓領(lǐng)域：XB系列HVIGBT模塊（3.3kV/1500A）采用定制化芯片與終端結(jié)構(gòu)，提升潮濕環(huán)境穩(wěn)定性，支撐軌道交通等大型設(shè)備。

技術(shù)迭代方面，硅基IGBT與碳化硅技術(shù)協(xié)同突破：

硅基IGBT：第8代采用雙段式分裂柵（Split Gate）與深層緩沖層（CPL），降低導(dǎo)通與開關(guān)損耗，適配高功率密度場景。

碳化硅技術(shù)：第4代溝槽柵SiC-MOSFET通過優(yōu)化溝槽電場與側(cè)壁摻雜，比導(dǎo)通電阻降低50%，并推出SBD嵌入式結(jié)構(gòu)消除雙極退化風(fēng)險，應(yīng)用于HVDC輸電與軌道交通。

Q2：2026年AI算力基礎(chǔ)設(shè)施對功率半導(dǎo)體的需求是否會成為新增長點？貴公司是否有相關(guān)產(chǎn)品儲備？如何應(yīng)對數(shù)據(jù)中心客戶對能效比的嚴苛要求？

2026年，AI算力基礎(chǔ)設(shè)施（如數(shù)據(jù)中心、AI服務(wù)器）對功率半導(dǎo)體的需求將成新增長點。三菱電機以Unifull^™系列高壓SiC MOSFET與第2代工業(yè)SiC MOSFET為核心產(chǎn)品儲備，精準應(yīng)對。

Unifull^™系列專為高功率密度設(shè)計，采用SBD嵌入式結(jié)構(gòu)，開關(guān)損耗較傳統(tǒng)Si模塊降91%（如3.3kV/800A模塊），新增3.3kV/200A/400A低電流版本，適配鐵路輔助電源與中小型工業(yè)逆變器；其LV100封裝模塊功率密度達50kW/L，支持-40℃~125℃寬溫域，滿足AI數(shù)據(jù)中心固態(tài)變壓器（SST）需求。第2代工業(yè)SiC MOSFET導(dǎo)通電阻（RDS(on)）較一代降30%，雜散電感僅9nH，1200V/400A模塊總損耗較硅基IGBT降70%，開關(guān)頻率提至90kHz，適配高頻DC/DC變換器。

應(yīng)對策略上，三菱電機通過溝槽柵優(yōu)化技術(shù)，并聯(lián)合Coherent推進8英寸SiC晶圓量產(chǎn)降本，擴大相關(guān)產(chǎn)品在AI電源領(lǐng)域的影響范圍。

 SiC MOSFET

Q3：2026年，您認為功率半導(dǎo)體行業(yè)將面臨的挑戰(zhàn)有哪些？貴公司定下了哪些規(guī)劃和布局，并對2026年有著怎樣的期待？

2026年功率半導(dǎo)體行業(yè)將面臨技術(shù)迭代、市場競爭、供應(yīng)鏈成本及應(yīng)用需求多樣化四大挑戰(zhàn)。三菱電機將以技術(shù)升級（硅基IGBT優(yōu)化與SiC寬禁帶器件突破）、產(chǎn)能擴張（8英寸SiC晶圓廠投產(chǎn)、模塊封裝產(chǎn)能提升）及產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同（深化與Coherent等材料商合作）三大策略應(yīng)對。計劃2026年實現(xiàn)8英寸SiC晶圓量產(chǎn)，產(chǎn)能較2022年提升5倍，并穩(wěn)步提高SiC芯片及模塊在新能源車電驅(qū)中的滲透率。也期待通過技術(shù)引領(lǐng)與市場拓展，鞏固DIPIPM^™在家電領(lǐng)域，HVIGBT在軌道牽引領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，構(gòu)建自主可控生態(tài)，推動行業(yè)向高效可靠升級。