Q1：2025年，貴公司在功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)表現(xiàn)和業(yè)績(jī)?nèi)绾危欠穹项A(yù)期？貴公司認(rèn)為哪些細(xì)分領(lǐng)域（如SiC/GaN、車規(guī)級(jí)IGBT、模塊化產(chǎn)品）表現(xiàn)超預(yù)期或低于預(yù)期？原因是什么？
2025年，公司業(yè)務(wù)整體表現(xiàn)符合預(yù)期，核心產(chǎn)品線與戰(zhàn)略布局均取得了扎實(shí)進(jìn)展。從全年來看，業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)主要得益于我們對(duì)市場(chǎng)需求的精準(zhǔn)把握以及內(nèi)部運(yùn)營(yíng)效率的持續(xù)提升。
在細(xì)分領(lǐng)域方面，公司的 IGBT模塊 和 SiC模塊 產(chǎn)品表現(xiàn)均達(dá)到既定目標(biāo)。這主要得益于我們近年來持續(xù)優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和客戶結(jié)構(gòu)，完成從 “單一器件銷售” 向 “器件 + 解決方案” 一體化轉(zhuǎn)型，精準(zhǔn)匹配客戶需求，使得業(yè)務(wù)模式進(jìn)入成熟穩(wěn)定的發(fā)展階段。目前，汽車、新能源、工控三大產(chǎn)品線日益豐富，成功構(gòu)建了多元化的增長(zhǎng)引擎。特別是在車規(guī)級(jí)領(lǐng)域，我們緊跟新能源汽車高壓平臺(tái)轉(zhuǎn)型的趨勢(shì)，通過引入納米銀燒結(jié)、銅線鍵合等先進(jìn)封裝工藝，成功開發(fā)了多個(gè)適用于800V高壓平臺(tái)的 SiC模塊，有效滿足了市場(chǎng)對(duì)高性能功率器件的迫切需求。多款新一代 SiC 模塊完成開發(fā)與客戶驗(yàn)證，在高壓快充、儲(chǔ)能、高端工控等場(chǎng)景批量落地，SiC模塊業(yè)務(wù)步入良性增長(zhǎng)通道。
這些成績(jī)的取得，離不開公司內(nèi)部的深度變革。我們不僅在產(chǎn)品技術(shù)層面實(shí)現(xiàn)了突破，更完成了 組織力量的全面升級(jí) 和 經(jīng)營(yíng)思維的深度轉(zhuǎn)型，從而在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中建立了更強(qiáng)的護(hù)城河，為未來抓住AI算力基建、新能源等增量市場(chǎng)機(jī)遇奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
Q2：2025年，貴公司在產(chǎn)品布局、技術(shù)迭代或產(chǎn)業(yè)協(xié)同方面，是否實(shí)現(xiàn)了階段性突破？貴公司在技術(shù)突破或市場(chǎng)拓展中采取了哪些差異化策略？
2025年對(duì)公司而言是非常有意義的一年，我們?cè)诋a(chǎn)品布局、技術(shù)迭代和產(chǎn)業(yè)協(xié)同三個(gè)維度取得了具有戰(zhàn)略意義的階段性突破，成長(zhǎng)為功率半導(dǎo)體解決方案提供商。
在產(chǎn)品端，我們完成了從芯片到封裝的全鏈條升級(jí)。首先，在SiC產(chǎn)品領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了關(guān)鍵性突破，我們成功將納米銀燒結(jié)與銅線鍵合技術(shù)結(jié)合并導(dǎo)入批量應(yīng)用，這不僅大幅提升了模塊的可靠性與功率密度，也為高頻、高溫應(yīng)用場(chǎng)景打下了基礎(chǔ)。芯片技術(shù)的協(xié)同迭代方面， 我們堅(jiān)持“兩條腿走路”。一方面，基于應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)第七代IGBT芯片進(jìn)行了微溝槽柵優(yōu)化設(shè)計(jì)，進(jìn)一步降低了飽和壓降；另一方面，我們完成了SiC芯片的迭代設(shè)計(jì)，使其在開關(guān)損耗與短路耐受能力之間實(shí)現(xiàn)了更優(yōu)的平衡，確保國(guó)產(chǎn)芯片在核心參數(shù)上與國(guó)際一流水平同臺(tái)競(jìng)技。
作為扎根合肥的半導(dǎo)體企業(yè)，我們?cè)?025年不僅僅是補(bǔ)齊了技術(shù)的拼圖，更重要的是重新定義了自身在產(chǎn)業(yè)中的角色。我們不再滿足于做產(chǎn)業(yè)鏈上的一個(gè)加工節(jié)點(diǎn)，而是主動(dòng)融入、積極構(gòu)建完整的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。通過與上游材料與設(shè)備供應(yīng)商深度耦合、與下游新能源及汽車、工控客戶聯(lián)合開發(fā)產(chǎn)品，同時(shí)與科研院所開展前沿技術(shù)攻關(guān)，我們?cè)诠β势骷馁惖郎�，不僅做出了產(chǎn)品，更發(fā)出了“中恒微的聲音”。
此外，在技術(shù)上，我們以“量產(chǎn)一代、研發(fā)一代、預(yù)研一代”的節(jié)奏穩(wěn)步推進(jìn)。SiC專用產(chǎn)線已投入使用，配合納米銀燒結(jié)與銅線鍵合技術(shù)的規(guī)�；涞�，標(biāo)志著我們已經(jīng)具備了面向高端應(yīng)用的量產(chǎn)交付能力。
在市場(chǎng)拓展上，我們采取了“深耕存量+卡位增量”的差異化策略。一方面，我們針對(duì)汽車與新能源等主流新增市場(chǎng)，提供高性價(jià)比的定制化配套解決方案；另一方面，我們積極布局新興增量領(lǐng)域（如AI算力、數(shù)據(jù)中心等），用技術(shù)的前瞻性換取市場(chǎng)的先發(fā)優(yōu)勢(shì)。
Q3：2025年新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)控制三大領(lǐng)域?qū)β拾雽?dǎo)體的需求增速如何？企業(yè)如何應(yīng)對(duì)不同行業(yè)對(duì)產(chǎn)品性能、交付周期的差異化要求？
2025年三大領(lǐng)域的需求增速呈現(xiàn)出明顯的分化與升級(jí)特征。
新能源汽車：雖然整車銷量增速放緩，但價(jià)值量的提升成為關(guān)鍵。隨著800V高壓架構(gòu)的加速滲透，SiC模塊的需求幾乎是爆發(fā)式的。同時(shí)，電驅(qū)向高功率發(fā)展，也推動(dòng)IGBT模塊向更高性能迭代。
光伏儲(chǔ)能：增速穩(wěn)健且注重極致效率。光伏逆變器價(jià)格修復(fù)企穩(wěn)，而儲(chǔ)能需求，特別是海外大儲(chǔ)市場(chǎng)十分旺盛。這意味著一方面要支撐光伏降本，另一方面要滿足儲(chǔ)能系統(tǒng)對(duì)超高效率和三電平模塊的嚴(yán)苛要求。
工業(yè)控制：這是我們的基本盤，呈現(xiàn)溫和復(fù)蘇與高端轉(zhuǎn)型的特點(diǎn)。傳統(tǒng)工控需求回穩(wěn)，但更大的增量在于AI數(shù)據(jù)中心這一新興產(chǎn)業(yè)帶來的服務(wù)器電源需求，以及高端裝備的國(guó)產(chǎn)化替代，對(duì)功率器件的可靠性和壽命要求極高。
對(duì)于汽車，我們緊跟頭部客戶，主攻SiC模塊，同時(shí)利用我們?cè)贗GBT領(lǐng)域的積累，滿足主流車型對(duì)性價(jià)比的追求。對(duì)于新能源，我們推出針對(duì)性的低損耗、高效率解決方案，比如在儲(chǔ)能三電平模塊上追求比肩國(guó)際一流的效率指標(biāo)，以此切入頭部供應(yīng)鏈。對(duì)于工控，我們確保產(chǎn)品在復(fù)雜工況下的長(zhǎng)期穩(wěn)定性與一致性，這是贏得工業(yè)客戶信任的基礎(chǔ)。
交付與響應(yīng)上，發(fā)揮本土與機(jī)制優(yōu)勢(shì)。速度是我們的利器。相比海外大廠，我們能更快速地響應(yīng)客戶在定制化、適配性上的需求，縮短導(dǎo)入周期。產(chǎn)能上，我們堅(jiān)持長(zhǎng)期主義。通過柔性排產(chǎn)與上游晶圓廠建立戰(zhàn)略合作，確保產(chǎn)能優(yōu)先權(quán)，并為戰(zhàn)略客戶設(shè)定“安全庫(kù)存水位”，在保障交付與控制庫(kù)存之間找到平衡點(diǎn)。
Q4：2026年AI算力基礎(chǔ)設(shè)施對(duì)功率半導(dǎo)體的需求是否會(huì)成為新增長(zhǎng)點(diǎn)？貴公司是否有相關(guān)產(chǎn)品儲(chǔ)備？如何應(yīng)對(duì)數(shù)據(jù)中心客戶對(duì)能效比的嚴(yán)苛要求？
2026年AI算力基礎(chǔ)設(shè)施無疑將成為功率半導(dǎo)體極具爆發(fā)力的新增長(zhǎng)點(diǎn)。AI服務(wù)器和新型數(shù)據(jù)中心對(duì)電能變換的功率密度、轉(zhuǎn)換效率提出了前所未有的挑戰(zhàn)，也為我們這類技術(shù)型企業(yè)打開了新的賽道。
我們已提前布局這一領(lǐng)域，針對(duì)AI服務(wù)器電源和固態(tài)變壓器（SST）應(yīng)用，推出了多款封裝的1200V和2000V高壓SiC功率模塊。這些產(chǎn)品深度融合了納米銀燒結(jié)與銅線鍵合等先進(jìn)封裝工藝，大幅提升了模塊的散熱能力與可靠性，確保在超高開關(guān)頻率下依然保持極低損耗。
面對(duì)數(shù)據(jù)中心客戶對(duì)能效比的極致追求，我們的SiC模塊方案能夠助力系統(tǒng)效率突破98%，顯著降低PUE值。同時(shí)，通過優(yōu)化封裝寄生參數(shù)和熱阻，我們幫助客戶在有限空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高功率密度，滿足AI算力基礎(chǔ)設(shè)施高算力、低能耗的長(zhǎng)期演進(jìn)需求。
