筆記本適配器
這款新適配器設(shè)計方案的核心是專為在各種工作條件下實現(xiàn)快速開關(guān)和低導(dǎo)通損耗而設(shè)計的英飛凌CoolGaN™ G5晶體管。英飛凌的高壓（HV）GaN晶體管采用名為混合漏極GIT（柵極注入晶體管）的高性能基礎(chǔ)設(shè)計，可提供極高可靠性的高壓柵極性能、出色的動態(tài)導(dǎo)通電阻（RDS(on)）表現(xiàn)與硬開關(guān)性能，以及顯著提升的飽和電流，從而全面提升了器件的可靠性�；诖�，英飛凌最新高壓系列G5晶體管的標(biāo)準(zhǔn)性能指標(biāo)（如RDS(on) *Qg）較前代產(chǎn)品最多可提升30%。
英飛凌科技氮化鎵業(yè)務(wù)線負(fù)責(zé)人Johannes Schoiswohl表示：“CoolGaN™ G5晶體管體現(xiàn)了我們對可靠、高性能功率半導(dǎo)體的承諾。此次與群光電能合作為頭部客戶的適配器供貨，凸顯了氮化鎵技術(shù)如何在確保穩(wěn)定性的前提下，為終端用戶帶來更小體積、更快充電、更低能耗的實際效益。”
群光電能研發(fā)副總裁王洋表示：“英飛凌CoolGaN™ G5晶體管為我們提供了充足的設(shè)計余量，使我們能夠在緊湊的尺寸內(nèi)實現(xiàn)更高的功率密度和效率。此次合作幫助我們打造出符合筆記本客戶高端用戶體驗期望的充電解決方案。”
基于群光電能的設(shè)計能力和英飛凌高壓G5 GaN晶體管，該方案的工程亮點包括：運用GaN的快速開關(guān)特性，優(yōu)化PFC和DC/DC級的高頻電源架構(gòu)；充分考慮EMI的設(shè)計，通過優(yōu)化布局、濾波和開關(guān)波形，實現(xiàn)低噪聲并滿足嚴(yán)格的電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)；以及能夠在緊湊型機械外殼中實現(xiàn)更低溫度下的運行，并能夠保持在100-300W持續(xù)輸出功率的熱管理優(yōu)化方案。
英飛凌擁有強大的產(chǎn)品組合，過去一年已發(fā)布逾40款GaN新產(chǎn)品，是對于尋求優(yōu)質(zhì)GaN解決方案的客戶來說首選的合作伙伴。公司正按計劃推進(jìn)GaN 300 mm晶圓規(guī)模化制造，首批樣品已交付客戶。300 mm GaN工藝可顯著提升高質(zhì)量GaN產(chǎn)品的產(chǎn)能和交付速度，進(jìn)一步鞏固英飛凌在GaN市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。
供貨信息
如欲了解關(guān)于英飛凌GaN晶體管G5系列的最新信息，敬請訪問：英飛凌官網(wǎng)。
