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全球SiC進(jìn)入深度調(diào)整期,PCIM Asia 深圳2026 揭示中國“芯”勢力如何從突圍走向引領(lǐng)

已有368次閱讀2026-03-31標(biāo)簽:
 

當(dāng)全球碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)在經(jīng)歷數(shù)年投資熱潮后,悄然步入一個(gè)“調(diào)整期”,行業(yè)的目光正投向東方。據(jù)權(quán)威研究機(jī)構(gòu)Yole Group最新報(bào)告,到2025年,上游工藝的產(chǎn)能利用率將降至約50%,而中國逆勢成為全球最大的碳化硅設(shè)備資本開支區(qū)域,本土設(shè)備商在晶體生長、外延環(huán)節(jié)已能與國際廠商正面競爭,但在減薄、量測及先進(jìn)離子注入環(huán)節(jié),國際廠商仍保持領(lǐng)先。

圖片來源:《Power SiC 2025 - Front-End Manufacturing Equipment- Yole Group

這不僅是一場關(guān)于耐力的比拼,更是對體系化能力的考驗(yàn)。隨著市場發(fā)展進(jìn)入新階段,技術(shù)實(shí)力與產(chǎn)業(yè)化成果逐步顯現(xiàn)。即將于2026826日至28日在深圳國際會(huì)展中心(寶安新館)隆重舉行的PCIM Asia 深圳2026,正是這樣一個(gè)不容錯(cuò)過的產(chǎn)業(yè)觀察窗口。作為亞洲電力電子行業(yè)的風(fēng)向標(biāo),其核心活動(dòng)“功率半導(dǎo)體新銳峰會(huì)”,將向業(yè)界全景式展示中國功率半導(dǎo)體在硅基與寬禁帶“雙賽道”上的體系化躍遷。

 

全鏈視角:一場“從晶圓到模塊”的深度觀察

深耕亞洲市場二十余載,PCIM Asia通過展覽會(huì)與研討會(huì)相結(jié)合的模式,已搭建起連接業(yè)界與科研成果的橋梁,并匯聚行業(yè)與學(xué)術(shù)界的專家、領(lǐng)軍企業(yè)代表,向行業(yè)各界人士呈現(xiàn)一條完整的產(chǎn)業(yè)價(jià)值鏈。本屆PCIM Asia 深圳2026的核心亮點(diǎn)之一,是“功率半導(dǎo)體新銳峰會(huì)”。它站在“晶圓-襯底-芯片-器件-模塊”的全鏈視角,集結(jié)了中國硅基與寬禁帶“雙賽道”最具爆發(fā)力的玩家。這里不僅是龍頭系統(tǒng)方案的展示場,更是新銳“黑科技”的首發(fā)地,旨在折射中國功率半導(dǎo)體從單點(diǎn)性能突破到體系化能力的集體躍遷,呈現(xiàn)國產(chǎn)IGBTSiC在全球突圍中的最新量產(chǎn)答卷。

 

回望2025年的“功率半導(dǎo)體新銳峰會(huì)”,眾多行業(yè)領(lǐng)軍者帶來的前沿分享,已為這一平臺(tái)的價(jià)值寫下生動(dòng)注腳:

 

學(xué)界定調(diào),打破思維定式。電子科技大學(xué)張波教授在開場便厘清了“硅基與寬禁帶并行”的產(chǎn)業(yè)格局,指出在IGBT等硅基產(chǎn)品市場份額仍在增長的背景下,未來將是雙線競爭,而非簡單替代。其對RC-IGBT、SiC JFET、溝槽超結(jié)等前沿技術(shù)方向的系統(tǒng)梳理,為產(chǎn)業(yè)提供了清晰的“導(dǎo)航圖”。


企業(yè)競速,呈現(xiàn)多元路徑。芯聯(lián)集成展示了在IGBTSiC雙賽道上的“代際跨越+規(guī)模制造”的追趕加速度。海信功率半導(dǎo)體(Hisense)首次公開展示其從RC-IGBT到全SiC IPM的清晰布局,瞄準(zhǔn)家電等消費(fèi)級應(yīng)用的差異化破局。華太電子則通過自研的RugSiC JFET,大膽探索從高壓功率切入手機(jī)快充這一消費(fèi)電子新藍(lán)海,體現(xiàn)了中國廠商的路徑創(chuàng)新能力。

 

基礎(chǔ)攻堅(jiān),深挖產(chǎn)業(yè)根基。天科合達(dá)聚焦大尺寸(8/12英寸)SiC襯底的良率、缺陷(如TSDSF位錯(cuò))控制、超厚外延及激光切割等基礎(chǔ)工藝,這是決定下游器件成本與性能的“命門”。積塔半導(dǎo)體則以一份從產(chǎn)能布局、車規(guī)化工藝爬坡到客戶驗(yàn)證的“系統(tǒng)化成績單”,展現(xiàn)了車規(guī)級SiC制造的體系能力壁壘。清純半導(dǎo)體和電科五十五所國揚(yáng)電子則分別從“以快制勝”的規(guī)�;�“攻堅(jiān)超高壓/長壽命”的前沿探索,呈現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)在中下游的多樣態(tài)生存策略。

 

這些來自襯底、制造、設(shè)計(jì)、模塊各環(huán)節(jié)的真實(shí)案例,共同印證了一個(gè)事實(shí):中國SiC的突圍,是一場全鏈條被同時(shí)推向前行的進(jìn)程。




展望2026:在調(diào)整期中把握新格局

 

如果說2025年是探索成果的展示,那么即將到來的PCIM Asia 深圳2026則是一場關(guān)于“調(diào)整期下的新格局”的深度探索。本屆展會(huì)預(yù)計(jì)將吸引全球超過300家領(lǐng)軍企業(yè),聚焦人工智能數(shù)據(jù)中心、新能源汽車、可再生能源等高增長應(yīng)用領(lǐng)域,全面展示從SiC/GaN晶圓、AMB基板到車規(guī)級功率模塊的最新技術(shù)。

 

本屆展會(huì)除了備受矚目的“功率半導(dǎo)體新銳峰會(huì)”,現(xiàn)場還將設(shè)置多場重磅論壇:

 

全球戰(zhàn)略峰會(huì): 全球電力電子頂層戰(zhàn)略風(fēng)向標(biāo),將匯聚龍頭企業(yè)C-level層級,洞察產(chǎn)業(yè)趨勢和技術(shù)布局。

 

碳化硅主題論壇及應(yīng)用論壇: 展商與專家將直擊SiC MOSFET/JFET技術(shù)動(dòng)向、應(yīng)用設(shè)計(jì)、系統(tǒng)方案及測試評估,拆解量產(chǎn)案例。

 

氮化鎵技術(shù)及應(yīng)用論壇:聚焦電力電子技術(shù)的發(fā)展對功率器件的新要求,展商將圍繞GaN 芯片技術(shù)、封裝技術(shù)、產(chǎn)品、質(zhì)量分享前沿技術(shù)動(dòng)態(tài)及最新研究成果。

 

PCIM Asia 2025年“功率半導(dǎo)體新銳峰會(huì)”上中國企業(yè)展現(xiàn)的體系化能力,到2026年即將展開的前沿應(yīng)用探索,一個(gè)清晰的脈絡(luò)正在浮現(xiàn):以中國為代表,亞洲功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競爭維度,已從單一器件的性能比拼,演進(jìn)為材料、制造與生態(tài)的全鏈條協(xié)同。當(dāng)全球SiC產(chǎn)業(yè)進(jìn)入消化產(chǎn)能、靜待下一輪技術(shù)突破的調(diào)整期時(shí),亞洲供應(yīng)鏈所展現(xiàn)出的“全鏈視野”與規(guī)�;瘎�(dòng)能,正成為重塑全球產(chǎn)業(yè)格局的重要變量。

作為這一進(jìn)程的見證者與參與者,PCIM Asia 深圳2026所搭建的,正是一個(gè)讓亞洲乃至全球產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)得以同臺(tái)對話的公共空間。從材料端的技術(shù)突破、制造端的良率爬坡,到應(yīng)用端對多元化場景的探索,都將在三天的展期與論壇中得到集中呈現(xiàn)。而依托PCIM品牌的全球網(wǎng)絡(luò),這場盛會(huì)亦將成為國際企業(yè)觀察亞洲技術(shù)進(jìn)程、鏈接區(qū)域市場資源、融入本地創(chuàng)新生態(tài)的關(guān)鍵入口。

 

2026826-28日,深圳國際會(huì)展中心。在全球功率半導(dǎo)體的調(diào)整周期中,這場立足亞洲、鏈接世界的深度對話,值得業(yè)界保持關(guān)注。



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