ROHM在開發(fā)第5代SiC MOSFET的過程中，通過改進器件結(jié)構(gòu)并優(yōu)化制造工藝，與以往的第4代產(chǎn)品相比，成功地將功率電子電路實際使用環(huán)境中備受重視的高溫工作時（Tj=175℃）的導通電阻降低約30%（相同耐壓、相同芯片尺寸條件下比較）。在xEV用牽引逆變器等需要在高溫環(huán)境下使用的應(yīng)用中，該產(chǎn)品有助于縮小單元體積，提高輸出功率。

第5代SiC MOSFET已于2025年起先行提供裸芯片樣品，并于2026年3月完成開發(fā)。

另外，ROHM計劃從2026年7月起開始提供配有第5代SiC MOSFET的分立器件和模塊的樣品。未來，ROHM將進一步擴大產(chǎn)品陣容，同時完善設(shè)計工具，并強化針對應(yīng)用產(chǎn)品設(shè)計的支持體系。

＜開發(fā)背景＞

近年來，在工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，隨著生成式AI和大規(guī)模數(shù)據(jù)處理技術(shù)的普及，用于AI處理等的高性能服務(wù)器的引進速度不斷加快。由于這類應(yīng)用的功率密度不斷提高，引發(fā)了業(yè)界對電力系統(tǒng)負荷加重以及局部供需緊張的擔憂。作為解決這一難題的對策，將太陽能等可再生能源與供電網(wǎng)絡(luò)等相結(jié)合的智能電網(wǎng)備受關(guān)注，但能源轉(zhuǎn)換和蓄電過程中的損耗降低仍是一大挑戰(zhàn)。在車載領(lǐng)域的下一代電動汽車中，除了延長續(xù)航里程和提升充電速度之外，還要求進一步降低逆變器損耗、提升OBC（車載充電器）性能。因此，在上述數(shù)千瓦到數(shù)百千瓦級大功率應(yīng)用中，能夠實現(xiàn)損耗降低與高效化兼顧的SiC器件正在加速普及。

ROHM于2010年在全球率先開始量產(chǎn)SiC MOSFET，并很早就推出了符合車規(guī)級可靠性標準（AEC-Q101）的產(chǎn)品群，通過將SiC廣泛應(yīng)用于各種大功率應(yīng)用中，助力降低能源損耗。此外，第4代SiC MOSFET于2020年6月開始提供樣品，并在SiC的普及階段就推出了分立器件和模塊等豐富多樣的產(chǎn)品陣容，目前已在全球車載設(shè)備和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。此次ROHM開發(fā)出的第5代SiC MOSFET實現(xiàn)了業(yè)界超低損耗，將進一步擴大SiC的應(yīng)用領(lǐng)域。

未來，ROHM計劃進一步擴充第5代SiC MOSFET的耐壓和封裝陣容，同時，通過推動已進入普及階段的SiC在各個領(lǐng)域的實際應(yīng)用，為提高各種大功率應(yīng)用的電能利用效率持續(xù)貢獻力量。

＜應(yīng)用示例＞

車載設(shè)備：xEV用牽引逆變器、車載充電器（OBC）、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電動壓縮機

工業(yè)設(shè)備：AI服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心等的電源、PV逆變器、ESS（儲能系統(tǒng)）、UPS（不間斷電源）

eVTOL、AC伺服

＜關(guān)于“EcoSiC™”品牌＞

EcoSiC™是采用了因性能優(yōu)于硅（Si）而在功率元器件領(lǐng)域備受關(guān)注的碳化硅（SiC）的元器件品牌。從晶圓生產(chǎn)到制造工藝、封裝和品質(zhì)管理方法，ROHM一直在自主開發(fā)SiC產(chǎn)品升級所必需的技術(shù)。另外，ROHM在制造過程中采用的是一貫制生產(chǎn)體系，目前已經(jīng)確立了SiC領(lǐng)域先進企業(yè)的地位。

ž EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。

＜術(shù)語解說＞

*) 牽引逆變器

電動汽車的驅(qū)動電機采用的是相位差為120度的三相交流電驅(qū)動。將來自電池的直流電轉(zhuǎn)換為交流電以實現(xiàn)這種三相交流電的逆變器即牽引逆變器。