賓夕法尼亞、MALVERN - 2013 年 1 月14 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。這些MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的導通電阻，采用1mm x 1mm x 0.55mm和1.6mm x 1.6mm x 0.6mm的CSP MICRO FOOT封裝。
在智能手機、平板電腦和移動計算設備等便攜式電子產(chǎn)品的電源管理應用中，今天推出的器件將用于電池和負載切換。MOSFET的小尺寸可節(jié)約PCB空間，實現(xiàn)超薄的外形，讓便攜式電子產(chǎn)品變得更薄、更輕，而且器件的低導通電阻能夠?qū)崿F(xiàn)更低的傳導損耗，從而降低能耗，延長兩次充電間的電池壽命。器件的低導通電阻還意味著在負載開關上的壓降更低，防止出現(xiàn)討厭的欠壓鎖定現(xiàn)象。
對于導通電阻比空間更重要的應用場合，8V N溝道Si8424CDB和20V P溝道Si8425DB在4.5V柵極驅(qū)動下的最大導通電阻分別為20m和23m。器件采用1.6mm x 1.6mm x 0.6mm CSP封裝。更小的1mm x 1mm x 0.55mm的Si8466EDB 8V N溝道MOSFET在4.5V下的最大導通電阻為43m，將用于空間比導通電阻更重要的應用場合。Si8466EDB的典型ESD保護達到3000V。
Si8466EDB和Si8424CDB可在1.2V電壓下導通，可與手持設備中常見的更低電壓的柵極驅(qū)動和更低的總線電壓配合工作，省掉電平轉(zhuǎn)換電路的空間和成本。今天推出的所有器件都符合RoHS指令2011/65/EU，符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定。
Si8466EDB、Si8424CDB和Si8425DB是MICRO FOOT家族的最新成員，詳見 http://www.vishay.com/mosfets/micro-foot-package/。
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型號
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Si8466EDB
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Si8424CDB
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Si8425DB
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極性
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N
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N
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P
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VDS |
8
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8
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- 20
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RDS(ON) (mΩ) max. @ |
4.5 |
43
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20
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23
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2.5 |
46
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21
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27
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1.8 |
-
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23
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40
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1.5 |
60
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28
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-
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1.2 |
90
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45
|
-
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外形尺寸 |
1 x 1
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1.6 x 1.6
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1.6 x 1.6
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高度 |
0.55
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0.6
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0.6
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新款TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。
VISHAY簡介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的"財富1,000 強企業(yè)"，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及"一站式"服務使Vishay成為了全球業(yè)界領先者。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。
TrenchFET和MICRO FOOT是Vishay Siliconix公司的注冊商標。
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