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宏微科技承擔(dān)的“十一五”國(guó)家科技支撐計(jì)劃重點(diǎn)項(xiàng)目通過驗(yàn)收

已有104059次閱讀2011-10-26標(biāo)簽:
  西安電力電子技術(shù)研究所、江蘇宏微科技有限公司和西安交通大學(xué)共同承擔(dān)的“十一五”國(guó)家科技支撐計(jì)劃重點(diǎn)項(xiàng)目“新型電力電子器件及其電力電子集成技術(shù)”項(xiàng)目日前在江蘇常州順利通過了科技部組織的驗(yàn)收。宏微科技作為第一責(zé)任單位承擔(dān)了該課題中“IGBT和FRD芯片研發(fā)”子課題的工作。
        
   通過三年的努力,宏微科技自主研發(fā)成功75A/1200V、100A/1200V、75A/1700V、100A/1700V、 IGBT芯片和FRD芯片,并成功地將產(chǎn)品應(yīng)用于電焊機(jī)、開關(guān)電源、有源濾波、高壓變頻器等電力電子裝置中。專家們一致認(rèn)為項(xiàng)目產(chǎn)品達(dá)到了預(yù)期的目標(biāo);宏微科技自主開發(fā)的IGBT和FRD芯片填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)大功率IGBT和FRD芯片技術(shù)的多項(xiàng)空白,形成了多項(xiàng)國(guó)家發(fā)明專利。專家們?yōu)楹晡⒖萍既〉玫某煽?jī)感到振奮,同時(shí)也提出了殷切的希望。專家們鼓勵(lì)宏微科技在今后的幾年內(nèi)一定要開發(fā)出適用于不同應(yīng)用領(lǐng)域的系列化的自主IGBT和FRD芯片,為我國(guó)IGBT和FRD的芯片和模塊的發(fā)展做出更多貢獻(xiàn)。
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