據(jù)最新調(diào)查報(bào)告，預(yù)計(jì)2012年全球分立功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將同比增長(zhǎng)3.7%，產(chǎn)值達(dá)134億美元。相比2011年的2.2%有了微幅的提升，同時(shí)，細(xì)分市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，對(duì)于不同的產(chǎn)品以及應(yīng)用市場(chǎng)可說(shuō)是冰火兩重天。
2012年增長(zhǎng)最快的分立器件和模塊產(chǎn)品仍為IGBT。2011年，IGBT銷售額首次超過(guò)10億美元，年內(nèi)大部分時(shí)間都處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。這種境況一直到歐債危機(jī)及中國(guó)政府暫停了相應(yīng)的能源補(bǔ)貼之后才有所減緩。2012年，IGBT增長(zhǎng)的動(dòng)力來(lái)自于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電源模塊，以及混合動(dòng)力汽車應(yīng)用。預(yù)計(jì)雖然增長(zhǎng)會(huì)放緩，但是IGBT市場(chǎng)仍將取得19%的增幅。
然而2011年，功率MOSFET、可控硅和GTO、IGCT、GCT的增長(zhǎng)緩慢。MOSFET和整流器在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)所占的份額總和將由2011年的75%下滑至2012年的74%以下，到2016年將進(jìn)一步下滑至僅72%。
全球IGCT市場(chǎng)規(guī)模2012年為3.9億人民幣，增長(zhǎng)趨勢(shì)受經(jīng)濟(jì)影響，開(kāi)始放緩。
圖表：全球IGCT銷售額及增長(zhǎng)趨勢(shì)
