傳統(tǒng)采用單片基板工藝的傳感器設(shè)計(jì)需要單獨(dú)的裸片區(qū)以支持像素陣列和輔助電路。有了3D層疊技術(shù)，像素陣列和輔助電路可放在不同基板上分開制作，然后通過硅穿孔技術(shù)（TSV）堆疊連接。這樣，像素陣列就能覆蓋基本電路，實(shí)現(xiàn)更有效率的裸片分布。這種方法讓設(shè)計(jì)工程師能夠優(yōu)化傳感器的各個(gè)部分，如成像性能、成本、功率和裸片尺寸。像素陣列的優(yōu)化能提高傳感器的像素性能，降低噪聲水平及增強(qiáng)像素反應(yīng)。下層電路也可以使用更嚴(yán)格的設(shè)計(jì)規(guī)則來降低功耗。更少的總占板空間支持現(xiàn)今先進(jìn)的相機(jī)模組，這些模組整合了光學(xué)圖像穩(wěn)定（OIS）和附加數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能于同一個(gè)占用空間。
安森美半導(dǎo)體圖像傳感器部技術(shù)副總裁SandorBama表示：“3D層疊技術(shù)是令人興奮的突破，它提高了我們在優(yōu)化安森美半導(dǎo)體未來傳感器的能力。這技術(shù)帶來制造和設(shè)計(jì)的靈活性，確保我們整個(gè)傳感器系列維持性能領(lǐng)先的地位。”
安森美半導(dǎo)體將于美國時(shí)間1月6日到8日在拉斯維加斯舉行的2015國際消費(fèi)電子展期間展示其最新的圖像傳感器技術(shù)及產(chǎn)品。如需預(yù)約私人參觀圖像傳感器現(xiàn)場演示，請聯(lián)系安森美半導(dǎo)體銷售代表。
