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聯(lián)華電子取得Cypress半導(dǎo)體40納米嵌入式閃存硅智財(cái)授權(quán)

已有83174次閱讀2015-01-22標(biāo)簽:

      聯(lián)華電子與嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存解決方案廠商Cypress今(21日)共同宣布,聯(lián)華電子40納米制程平臺已取得Cypress的SONOS嵌入式閃存硅智財(cái)授權(quán)。Cypress的SONOS硅智財(cái)具有容易整合的NVM單元,以及可順應(yīng)未來發(fā)展的可微縮性。此技術(shù)主要使用于物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用產(chǎn)品、穿戴式電子、微控制器,以及邏輯IC產(chǎn)品。


  在這三年內(nèi),此次已是聯(lián)華電子與Cypress雙方第三次的SONOS技術(shù)合作。2014年聯(lián)華電子取得Cypress的55納米SONOS制程授權(quán),2013年則認(rèn)證通過Cypress的65納米技術(shù)。

  Cypress的40納米SONOS嵌入式NVM制程,與其他嵌入式NVM技術(shù)相較,具有不同的優(yōu)勢。在標(biāo)準(zhǔn)CMOS制程之外,其它嵌入式閃存技術(shù)需要外加至少12層光罩,而SONOS技術(shù)則僅需額外加上5層即可。除此之外,在加入一般CMOS制程時(shí),SONOS不會改變標(biāo)準(zhǔn)組件特性或model,不影響并保留現(xiàn)有硅智財(cái)。SONOS具備高良率與高可靠度、十年的資料保存、十萬次的編程/擦除耐久周期,以及避免軟錯(cuò)誤發(fā)生的高抵抗力。聯(lián)華電子與Cypress已展現(xiàn)出將SONOS微縮到更小制程的豐厚實(shí)力,并可進(jìn)一步促進(jìn)未來硅智財(cái)?shù)拈_發(fā)。

  聯(lián)華電子負(fù)責(zé)特殊技術(shù)開發(fā)的簡山杰副總表示:「除了具備因應(yīng)物聯(lián)網(wǎng)需求的專門技術(shù)與設(shè)計(jì)平臺,聯(lián)華電子也提供物聯(lián)網(wǎng)設(shè)計(jì)套件與硅智財(cái),以加速我們客戶的產(chǎn)品上市時(shí)程。我們很高興擴(kuò)展了本公司涵蓋廣泛的eFlash解決方案,在我們high-volume與high-demand的40納米制程平臺,加入Cypress的SONOS硅智財(cái),提供客戶高效能低功耗的嵌入式內(nèi)存選項(xiàng),讓客戶的物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品能有流暢并可微縮的制程移轉(zhuǎn)路徑�!�

  Cypress技術(shù)與硅智財(cái)事業(yè)群副總Sam Geha表示:「Cypress很高興與聯(lián)華電子持續(xù)攜手合作,拓展我們SONOS硅智財(cái)作為客戶嵌入式NVM最佳首選的采用度。此40納米SONOS制程系嵌入于超低功耗制程技術(shù),亦可嵌入于其它40納米制程技術(shù),對于欲開發(fā)智能型,合乎功耗效能產(chǎn)品,進(jìn)軍物聯(lián)網(wǎng)與穿戴式市場的聯(lián)華電子廣泛客戶,都可獲得此40納米SONOS制程所提供的優(yōu)勢。此制程同時(shí)也可賦予微處理器更快的處理速度與更低的功耗。

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