英飛凌科技股份公司（FSE：IFX/ OTCQX：IFNNY）近日推出新型低飽和壓降VCE（sat） IGBT。此類IGBT 專門針對 50Hz 至20kHz 的低開關(guān)頻率范圍進行了優(yōu)化。這個范圍的開關(guān)頻率常見于不間斷電源 （UPS） 以及光伏逆變器和逆變焊機中。新 L5 系列基于 TRENCHSTOP?5 薄晶片技術(shù)，使本來就很低的導通損耗因為載流子結(jié)構(gòu)的優(yōu)化得到了進一步降低。
憑借 25°C時典型飽和壓降 （VCE（sat）） 為1.05 V的傲人成績，此類新型 IGBT成功地將效率水平提升到一個新的高度 —— 用 L5 系列代替它的前輩 TRENCHSTOP IGBT，使效率在NPC1拓撲中提升高達 0.1％，在 NPC 2 拓撲中提升 0.3％。再加上VCE（sat）的溫度系數(shù)為正，保持高效率的同時還能直接并聯(lián)——樹立了20kHz 以下頻率的IGBT的行業(yè)標桿。鑄造新 L5系列靈魂的 TRENCHSTOP5技術(shù)，不但能提供無與倫比的低傳導損耗，還能將25℃時的總開關(guān)損耗降至1.6 mJ。綜上所述，在低開關(guān)頻率應用場合使用英飛凌新推出的低飽和壓降 IGBT 能提升效率，增加可靠性并且縮小系統(tǒng)的尺寸。
第一波面世的新L5 IGBT系列采用業(yè)界標準的TO-2473針封裝技術(shù)。此外，為了滿足需要進一步增強效率的應用場合，英飛凌還提供 TO-247 4針開爾文-發(fā)射極封裝版（Kelvin-Emitter package）的 L5 IGBT。與標準的 TO-247 3針封裝版相比，TO-247 4針封裝版的開關(guān)損耗減少了 20％。因此，L5與TO-247 4針封裝的結(jié)合，不但創(chuàng)造了終極版低傳導能耗和低開關(guān)損耗成績，還幫助英飛凌鞏固了在為高功率市場提供高度創(chuàng)新并且與眾不同的產(chǎn)品方面的領(lǐng)先地位。
