為加快推進下一代半導(dǎo)體光刻技術(shù)——納米壓印光刻（NIL）技術(shù)的研發(fā)，東芝公司與SK Hynix公司于2014年12月達成聯(lián)合開發(fā)的基本意向，2015年2月5日，雙方正式簽訂協(xié)議。
NIL技術(shù)，是存儲器進一步精細化所不可或缺的下一代半導(dǎo)體光刻設(shè)備的候選技術(shù)。與當前所使用的一般在描繪電路圖的光掩模上照射激光而完成硅晶片轉(zhuǎn)錄的光刻技術(shù)相比， NIL技術(shù)則將深挖型電路圖直接緊貼硅晶片而進行轉(zhuǎn)錄，其加工將更加精細化。
此前，東芝公司一直與各家半導(dǎo)體制造設(shè)備及材料廠商聯(lián)合推進NIL技術(shù)的開發(fā)。將自己的半導(dǎo)體制造工藝技術(shù)同半導(dǎo)體制造設(shè)備及材料廠商的技術(shù)相結(jié)合，以實現(xiàn)NIL技術(shù)在設(shè)備和工藝流程方面的應(yīng)用。而這次，東芝公司通過與SK Hynix公司合作共同開發(fā)納米壓印光刻技術(shù)，不僅可以削減開發(fā)成本，還可進一步加快該技術(shù)的市場應(yīng)用。東芝公司稱公司今后將積極推進NIL技術(shù)和極紫外光刻技術(shù)等下一代光刻技術(shù)的研發(fā)，切實促進存儲器產(chǎn)品的精細化，進一步加強存儲器業(yè)務(wù)。
今年4月份，在東芝橫濱事業(yè)部，兩家公司的技術(shù)人員將共同啟動NIL工藝要素技術(shù)開發(fā)，并計劃2017年實現(xiàn)成果轉(zhuǎn)化。
