固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)讀寫速度雖然非常快，但由于成本和技術(shù)方面的原因，固態(tài)硬盤的存儲容量普遍偏小。但這很快就將成為歷史——在上周，英特爾和鎂光正式發(fā)布了自己研發(fā)的3D NAND技術(shù)，可將現(xiàn)有固態(tài)硬盤的容量提升三倍。如此一來，消費(fèi)級固態(tài)硬盤的容量將能夠達(dá)到驚人的10TB。
英特爾和鎂光在NAND閃存技術(shù)上面一直保持著長期的合作關(guān)系。兩家公司表示，他們的技術(shù)突破在于增加閃存芯片的厚度，而不是面積。通過NAND的堆疊，兩家公司得以大幅提升了固態(tài)硬盤的容量。這種新型3D NAND技術(shù)可將閃存單元堆疊32層之多，可在標(biāo)準(zhǔn)硬盤單位體積內(nèi)容納256GB的MLC芯片和384GB的TLC芯片。他們表示，這種方法可以實(shí)現(xiàn)更高的效率，同時降低成本。
兩種存儲芯片的結(jié)合可讓硬盤的容量實(shí)現(xiàn)三倍的飛躍。目前，英特爾和鎂光已經(jīng)開始了這種芯片的試生產(chǎn)，前者表示相關(guān)產(chǎn)品會在今年下半年問世。
