本次展出的明星產(chǎn)品有：

工業(yè)：面向電鐵、電力轉(zhuǎn)換、工業(yè)用變頻器的大型IGBT模塊；采用高效率高性能SiC的新一代功率半導(dǎo)體器件；有助于提高設(shè)備節(jié)能的低損耗MOSFET；廣泛應(yīng)用于電源系統(tǒng)的分立器件產(chǎn)品線；通過硬件進(jìn)行矢量引擎控制。

東芝此次參展產(chǎn)品的一大亮點(diǎn)是展出了采用第三代半導(dǎo)體技術(shù)的代表-SiC材料的器件。SiC具有大禁帶寬度、高臨界場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率和高載流子飽和速率等特性，其品質(zhì)因數(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了其他材料，因而成為制造高功率器件、高頻器件、高溫器件和抗輻照器件最重要

的半導(dǎo)體材料。SiC材料在東芝產(chǎn)品中的廣泛使用將進(jìn)一步夯實(shí)東芝在功率器件方面的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，并且為未來發(fā)展奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。東芝目前將SiC材料應(yīng)用在1000伏以上的工業(yè)、能源等大功率產(chǎn)品。

東芝在原有IGBT的基礎(chǔ)上通過采用“注入增強(qiáng)結(jié)構(gòu)（IE：Injection Enhanced）”技術(shù)實(shí)現(xiàn)了低通態(tài)電壓，推出專利產(chǎn)品IEGT。由于其采用了SiC-SBD新材料，具有低導(dǎo)通電阻和低開關(guān)損耗等特性，實(shí)現(xiàn)了大功率變頻器的節(jié)能，而且其優(yōu)勢(shì)隨著大功率項(xiàng)目功率等級(jí)和電壓等級(jí)的不斷提高而逐步提升。IEGT控制的門極驅(qū)動(dòng)電流小，它既能減少系統(tǒng)的損耗，也能提高元件的使用壽命，且IEGT調(diào)速空載時(shí)系統(tǒng)損耗低，符合綠色節(jié)能的要求，使得系統(tǒng)運(yùn)行成本更為經(jīng)濟(jì)。東芝的IEGT已經(jīng)在為中國(guó)電力轉(zhuǎn)換設(shè)備實(shí)現(xiàn)高效、節(jié)能、輕小型的目標(biāo)做出貢獻(xiàn)。

東芝的IEGT除采用了SiC材料之外，在封裝上還采用了PMI（塑料模塊）和東芝獨(dú)有的PPI（壓接式）兩種方式。塑料模塊式封裝采用螺紋連接，它具有方便拆卸的特性；壓接式封裝具有無焊層、無引線鍵合、雙面水冷散熱和失效短路的特點(diǎn)。這兩種封裝的采用，使得東芝的IEGT器件具有更低的熱阻、更高的工作結(jié)溫、更低的寄生電感、更寬的安全工作區(qū)和更高的可靠性，在減少器件的同時(shí)大幅提高了功率密度和系統(tǒng)可靠性。

東芝此次還帶來了市場(chǎng)份額第一的光耦器件，新的LED技術(shù)使得東芝的光耦得以滿足多種技術(shù)條件，如具備使用壽命長(zhǎng)，可靠性高以及工作溫度高等特點(diǎn)，其原生的低功耗設(shè)計(jì)使得東芝的光耦更節(jié)能。其新的封裝形式可以使器件直接貼裝在PCB板的背面，為系統(tǒng)節(jié)約空間。