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加強(qiáng)頂層設(shè)計(jì) 集成電路產(chǎn)業(yè)目標(biāo)9300億元

已有71387次閱讀2016-04-19標(biāo)簽:

  設(shè)計(jì)業(yè)引領(lǐng)
  中國工業(yè)報(bào)記者從半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會了解到,十三五期間,我國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展目標(biāo)主要有四點(diǎn)。
  一是縮小與先進(jìn)國家水平的差距,全行業(yè)銷售收入年復(fù)合增長率為20%,到十三五末期,使中國半導(dǎo)體銷售收入達(dá)到9300億元。二是堅(jiān)持設(shè)計(jì)業(yè)引領(lǐng)發(fā)展的戰(zhàn)略,到2020年,設(shè)計(jì)業(yè)、晶圓制造、封裝測試三業(yè)占比目標(biāo)設(shè)定為4∶3∶3。三是移動智能終端、網(wǎng)絡(luò)通信、云計(jì)算等重點(diǎn)領(lǐng)域集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)達(dá)到國際領(lǐng)先水平,通過微處理器、存儲器等核心產(chǎn)品要形成自主設(shè)計(jì)與生產(chǎn)能力。四是16/14nm制造工藝實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn);封裝測試技術(shù)進(jìn)入全球第一梯隊(duì);關(guān)鍵裝備和材料進(jìn)入國際采購體系。
  周子學(xué)表示,在各地方分會的配合下,半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會已經(jīng)完成《中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會十三五發(fā)展規(guī)劃研究》初稿。十三五期間,協(xié)會將全面落實(shí)《綱要》提出的堅(jiān)持需求牽引、創(chuàng)新驅(qū)動、軟硬結(jié)合、重點(diǎn)突破、開發(fā)發(fā)展的原則;使市場在資源配置中起決定性作用,更好地發(fā)展政府作用,突出企業(yè)主體地位,以需求為導(dǎo)向,以技術(shù)創(chuàng)新、模式創(chuàng)新和體制機(jī)制創(chuàng)新為動力,破解產(chǎn)業(yè)發(fā)展瓶頸,推動產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)突破和整體提升的產(chǎn)業(yè)發(fā)展目標(biāo)。
  五領(lǐng)域突破
  據(jù)悉,十三五期間,中國集成電路產(chǎn)業(yè)將在五大領(lǐng)域重點(diǎn)發(fā)展。一是集成電路設(shè)計(jì)業(yè)。大力發(fā)展移動處理器芯片,圖形處理芯片等通用芯片以及數(shù)字電視芯片、網(wǎng)絡(luò)通信芯片等。加快發(fā)展行業(yè)電子領(lǐng)域,包括金融電子、智能電網(wǎng)等應(yīng)用領(lǐng)域的集成電路產(chǎn)品。加快發(fā)展云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)領(lǐng)域,其中包括大力發(fā)展高性能處理器芯片、連接芯片、存儲器等。
  二是芯片制造業(yè)。支持一批有特色工藝、有經(jīng)濟(jì)規(guī)模的8英寸生產(chǎn)線發(fā)展;擴(kuò)充45/40nm工藝產(chǎn)能;突破32/28nm工藝,快速實(shí)現(xiàn)規(guī)�;�2020年實(shí)現(xiàn)16/14nm技術(shù)的規(guī)模量產(chǎn),開展10nm技術(shù)研究;積極發(fā)展存儲器制造業(yè),實(shí)現(xiàn)NANDFLASH以及DRAM等通用存儲器的國產(chǎn)化制造。
  三是封裝測試業(yè)。緊貼征集系統(tǒng)應(yīng)用市場的發(fā)展需求,開發(fā)市場需求的中高端封裝產(chǎn)品。積極開發(fā)高可靠、更高性能、更加多樣化的BGAPGA、CSP、QFN以及各類陶瓷封裝、金屬封裝、新型RF射頻封裝、生物電子封裝、系統(tǒng)級封裝等封裝類型產(chǎn)品,并提高封裝測試企業(yè)高端先進(jìn)封裝規(guī)�;a(chǎn)能力。
  四是半導(dǎo)體設(shè)備和材料。在半導(dǎo)體設(shè)備方面,實(shí)現(xiàn)28nm裝備批量銷售或進(jìn)入采購流程,完善刻蝕及清洗、薄膜、檢測控制等關(guān)鍵設(shè)備工藝和產(chǎn)品系列;提升封裝領(lǐng)域應(yīng)用裝備的本提花配套能用,國產(chǎn)刻蝕機(jī)、光刻機(jī)、清洗機(jī)等成套的先進(jìn)封裝裝備與先進(jìn)封裝工藝開發(fā)同步發(fā)展。在半導(dǎo)體材料方面,300mm硅片規(guī)�;a(chǎn)滿足28nm工藝要求,并提升工藝技術(shù)達(dá)到14nm集成電路工藝節(jié)點(diǎn)要求,滿足我國集成電路產(chǎn)業(yè)對高端硅片的需求。
  五是重點(diǎn)發(fā)展功率器件及MEMS行業(yè)。對于功率器件行業(yè)的發(fā)展,首先要加強(qiáng)與整機(jī)產(chǎn)業(yè)的聯(lián)動,以市場促進(jìn)器件開發(fā),以設(shè)計(jì)帶動制造、推動虛擬IDM”運(yùn)行模式的發(fā)展。其次要建設(shè)國家級半導(dǎo)體功率器件研發(fā)中心,實(shí)現(xiàn)從材料-器件-晶圓-封裝-應(yīng)用全產(chǎn)業(yè)鏈的研究開發(fā)。

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