開始發(fā)售
功率半導體“SiC-SBD”
三菱電機株式會社此次推出采用了SiC※1的功率半導體新產(chǎn)品“SiC-SBD※2”，新產(chǎn)品為有效降低用于空調(diào)及太陽能發(fā)電中的家電・工業(yè)用電源系統(tǒng)的耗電量、縮小其體積做出了貢獻。該產(chǎn)品將于3月1日起陸續(xù)發(fā)售。
※1 Silicon Carbide：碳化硅
※2 Schottky Barrier Diode：肖特基勢壘二極管
新產(chǎn)品的特點
1．通過采用SiC，為降低耗電量、縮小體積做出貢獻
・通過使用SiC大幅降低開關(guān)損耗，降低約21％的電力損耗※3
・實現(xiàn)高速開關(guān)，為縮小電抗器等配套零部件的體積做出貢獻
※3 與內(nèi)置PFC電路的三菱電機產(chǎn)品功率半導體模塊“DIPPFCTM”上搭載的Si（硅）二極管相比
2．通過采用JBS結(jié)構(gòu)，提高可靠性
・采用pn結(jié)與肖特基結(jié)相結(jié)合的JBS※4結(jié)構(gòu)
・通過JBS結(jié)構(gòu)提高浪涌電流耐量，從而提高可靠性
※4 Junction Barrier Schottky
銷售目標
近年來，出于節(jié)能環(huán)保的考慮，人們對能夠大幅降低電力損耗或利用SiC實現(xiàn)高速開關(guān)的功率半導體的期待逐漸高漲。三菱電機自2010年起陸續(xù)推出了搭載SiC-SBD、SiC-MOSFET※5的SiC功率半導體模塊，廣泛應用于空調(diào)以及工業(yè)機械、鐵路車輛的逆變器系統(tǒng)等，為降低家電及工業(yè)機械的耗電量，縮小其體積和重量做出了貢獻。
在這一背景下，此次將發(fā)售采用了SiC的功率半導體“SiC-SBD”。 搭載在電源系統(tǒng)中的“SiC-SBD”，將為降低客戶的系統(tǒng)耗電量，縮小體積做出貢獻。
本產(chǎn)品的開發(fā)部分得到了日本“New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO)”的支持。
※5 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金屬氧化物半導體場效應晶體管
環(huán)保考慮
符合RoHS※7指令（2011/65/EU）。
※7 Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and electronic equipment
商標
DIPPFC是三菱電機株式會社的注冊商標。
制造工廠
三菱電機株式會社 功率器件制作所
〒819-0192 福岡縣福岡市西區(qū)今宿東一丁目1番1號
銷售公司
三菱電機機電（上海）有限公司
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