三菱電機(jī)半導(dǎo)體功率模塊技術(shù)研討會(huì)現(xiàn)場(chǎng)
會(huì)議伊始，大中國區(qū)三菱電機(jī)半導(dǎo)體總經(jīng)理四個(gè)所大亮致開幕辭。他在簡要回顧了三菱電機(jī)半導(dǎo)體的發(fā)展歷史后，對(duì)出席本次研討會(huì)的嘉賓表示了誠摯感謝。四個(gè)所大亮表示，感謝大家一直以來的關(guān)注與支持，希望通過研討會(huì)的形式，讓大家深入了解三菱電機(jī)半導(dǎo)體最新的模塊產(chǎn)品、應(yīng)用技術(shù)，以及致力于為用戶提供具備卓越品質(zhì)的產(chǎn)品和技術(shù)的發(fā)展目標(biāo)。
大中國區(qū)三菱電機(jī)半導(dǎo)體總經(jīng)理四個(gè)所大亮致開幕辭
會(huì)上，清華大學(xué)電機(jī)系知名教授、IEEE PELS北京分會(huì)主席趙爭鳴老師受邀出席，并作了《電力電子技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)》主題演講。他以2016年電力電子技術(shù)領(lǐng)域研究熱點(diǎn)和發(fā)展特點(diǎn)為切入口，著重闡述了能源互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的到來給電力電子行業(yè)帶來的全新機(jī)遇與挑戰(zhàn)。他報(bào)告中源于實(shí)驗(yàn)室的詳實(shí)數(shù)據(jù)和最新的研究理論，贏得了現(xiàn)場(chǎng)嘉賓的一致關(guān)注。
清華大學(xué)趙爭鳴教授作主題演講
同時(shí)，三菱電機(jī)半導(dǎo)體也帶來了嘉賓期待已久的亮點(diǎn)產(chǎn)品與技術(shù)——工業(yè)和新能源用第7代IGBT模塊。
工業(yè)和新能源用第7代IGBT模塊采用了NX/STD封裝結(jié)構(gòu)，符合高性能、使用更方便的封裝理念，可以支持多樣化的客戶需求。采用NX封裝結(jié)構(gòu)的第7代IGBT模塊相較于第6代，重量減少15%，在焊接型端子的基礎(chǔ)上，新增壓接型端子；而采用STD封裝結(jié)構(gòu)的第7代IGBT模塊則表現(xiàn)更為卓越，比第6代在內(nèi)部電感上減小30%，封裝尺寸上減小20%，重量上減小45%，且主端子與競(jìng)爭對(duì)手的兼容，實(shí)現(xiàn)了競(jìng)爭優(yōu)勢(shì)的大幅度提高。
除此之外，三菱電機(jī)半導(dǎo)體的資深工程師還與現(xiàn)場(chǎng)嘉賓分享了其它功率模塊的最新產(chǎn)品及相關(guān)應(yīng)用技術(shù)，包括EV/HEV專用IGBT模塊及應(yīng)用、三電平IGBT模塊及應(yīng)用、X系列HVIGBT及應(yīng)用、第7代IPM及應(yīng)用、最新DIPIPM™及應(yīng)用、SiC功率模塊及應(yīng)用、IGBT/HVIGBT及DIPIPM™的應(yīng)用要點(diǎn)等。
全神貫注的現(xiàn)場(chǎng)參會(huì)嘉賓
會(huì)議結(jié)束后，眾多嘉賓意猶未盡，紛紛就功率半導(dǎo)體相關(guān)專業(yè)技術(shù)問題與三菱電機(jī)半導(dǎo)體資深工程師進(jìn)行深層次的切磋交流。最后，在熱烈的掌聲中，本次研討會(huì)圓滿落下了帷幕。
