為期3天的上海國(guó)際電力原件、可再生能源管理展覽會(huì)（PCIM Asia ）于6月28日在上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。富士電機(jī)（中國(guó)）有限公司攜新品富士電機(jī)X系列第7代IGBT和SiC相關(guān)器件亮相展會(huì)。

IGBT模塊是一種能實(shí)現(xiàn)節(jié)能和穩(wěn)定供電的核心器件，被廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)設(shè)備如電機(jī)驅(qū)動(dòng)用變頻器、不間斷電源裝置（UPS）、風(fēng)能和太陽(yáng)能發(fā)電設(shè)備用功率調(diào)節(jié)器等。 富士公司第7代“X系列”通過(guò)薄化構(gòu)成本模塊的IGBT元件以及二極管元件的厚度，使其小型化，從而優(yōu)化元件結(jié)構(gòu)。因此，與以往產(chǎn)品相比，降低變換器運(yùn)行時(shí)的電力損耗。有利于運(yùn)載機(jī)器節(jié)能和削減電力成本。

第7代“X系列”

運(yùn)用新開(kāi)發(fā)的絕緣板，提高模塊的散熱性能。通過(guò)與降低電力損耗配合控制散熱，與以往制品相比，約減小36%，實(shí)現(xiàn)了小型化。另外，通過(guò)將連續(xù)運(yùn)行時(shí)芯片的最大保證溫度從150℃升到175℃，可以在保持運(yùn)載機(jī)器尺寸的同時(shí)，將輸出電流最多增加35%。因此有助于機(jī)器的小型化和降低總成本。修正模塊的構(gòu)造和所使用的部件，提高了高溫運(yùn)行時(shí)的穩(wěn)定性和持久性。有助于提高運(yùn)載機(jī)器的可靠性。

SiC器件具有出色的特性，能夠?qū)崿F(xiàn)高耐壓、低功耗、高頻動(dòng)作和高溫動(dòng)作。使用SiC的功率半導(dǎo)體能夠?qū)崿F(xiàn)大幅節(jié)能和安裝產(chǎn)品的小型化、輕量化。

中國(guó)制造2025的提出，預(yù)示著制造業(yè)轉(zhuǎn)型勢(shì)在必行。用戶需求受到國(guó)家政策主導(dǎo)和行業(yè)發(fā)展推動(dòng)影響，對(duì)半導(dǎo)體原材料要求更高、產(chǎn)品技術(shù)要求更高、產(chǎn)品可靠性要求更高，同時(shí)在保證上述需求的基礎(chǔ)上要求有更高的性價(jià)比。

面對(duì)這些，富士電機(jī)半導(dǎo)體憑借三十多年的經(jīng)驗(yàn)積累不斷追求技術(shù)創(chuàng)新，對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行全方位升級(jí)優(yōu)化，并且以本地化生產(chǎn)、快速服務(wù)響應(yīng)來(lái)貼近中國(guó)用戶。