作為這個行業(yè)的技術(shù)專家，Gourab Majumdar也介紹了功率半導(dǎo)體最新的技術(shù)發(fā)展趨勢。他介紹說：IGBT芯片技術(shù)本身也一直在進步。第三代的IGBT是平板型的構(gòu)造，第四代是一個溝槽型的構(gòu)造，第五代成為CSTBT，第六代是超薄化。目前正在開發(fā)的第七代IGBT，試圖把CSTBT的構(gòu)造進一步優(yōu)化，進一步微細化和超薄化，改善關(guān)斷損耗對飽和壓降的折中比例，提高功率半導(dǎo)體的性能。從性能系數(shù)來看，第六代已比第一代提高了16倍。如果第七代通過減少無效區(qū)間、超微細化等工序，可提高26倍。
在封裝技術(shù)方面，在小容量消費類DIPIPM產(chǎn)品中，三菱電機采用了壓注膜的封裝辦法。在中容量工業(yè)產(chǎn)品、混合動力和電動汽車的New-MPD產(chǎn)品中，采用了盒式封裝。在大容量，特別是用在高鐵上的產(chǎn)品中，采用了碳化硅鋁的芯片，然后用盒式封裝完成。今后開發(fā)的技術(shù)方向，就是朝新綁定技術(shù)、高性能、高功率密度、和高Tj發(fā)展。對于高耐壓的產(chǎn)品來說，提高功率密度、高功率循環(huán)和溫度循環(huán)、提高產(chǎn)品的壽命和絕緣的電壓，同時降低熱抵抗。而通過不斷將半導(dǎo)體的厚度越做越薄，可以使日后的IPM厚度可以跟iPhone差不多。
從硅器件的第一代到第六代或者以后的第七代的技術(shù)開發(fā)，還沒有超出改進的范圍，通過對上一代的產(chǎn)品的改進，為客戶帶來更多方便。而以后從硅器件變成碳化硅器件，可以說是革命性的技術(shù)飛躍，新的器件跟過往的完全不同。說到碳化硅半導(dǎo)體功率器件，它有四大優(yōu)點：第一、工作溫度范圍比較大，在高溫下也可工作；第二、低抵抗、耐高破壞性；第三、高頻工作；和第四、散熱性好。碳化硅的功率器件用在系統(tǒng)上它有很多好處，功率的密度可以更高，體積可以更小，更加耐高電壓壓，設(shè)計容易，總體來講可以提高功率半導(dǎo)體的效率，運用的領(lǐng)域可以更加廣泛，更為方便。三菱電機利用碳化硅生產(chǎn)出來的第一個產(chǎn)品，就是使用在高鐵上的變頻器、家用空調(diào)上的DIPIPM、和風力發(fā)電變換器上的MOSFET器件。
Gourab Majumdar博士認為，總的來說功率半導(dǎo)體的技術(shù)發(fā)展方向是：第一、硅或碳化硅芯片技術(shù)的進步；第二、功率半導(dǎo)體里面集成各種功能；第三、在封裝技術(shù)上，可以通過壓注膜或者是盒式封裝，使功率半導(dǎo)體的壽命更長，穩(wěn)定性更好，功率密度更大。
