英諾賽科（珠海）科技有限公司舉行8英寸硅基氮化鎵通線投產(chǎn)儀式。據(jù)悉，這是中國首條實現(xiàn)量產(chǎn)的8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線。由于高溫環(huán)境下生長的氮化鎵薄膜冷卻時受熱錯配應(yīng)力的驅(qū)動下，容易發(fā)生破裂或翹曲，成為硅基氮化鎵大英寸化的主要障礙，英諾賽科采取獨(dú)有技術(shù)解決了這一挑戰(zhàn)，將硅基氮化鎵晶圓尺寸推進(jìn)到8英寸。
英諾賽科董事長駱薇薇表示：“經(jīng)過2年的努力我們終于建成中國首條8英寸硅基氮化鎵外延與芯片生產(chǎn)線，并成功量產(chǎn)，添補(bǔ)了我國在這一領(lǐng)域的空白。這既是一個里程碑也是一個新的起點(diǎn)。公司將繼續(xù)在技術(shù)前沿上推進(jìn)，把握行業(yè)發(fā)展趨勢，在應(yīng)用領(lǐng)域上不斷開拓，在市場上與多方合作，將公司建成行業(yè)內(nèi)最具影響力的企業(yè)。”
英諾賽科總經(jīng)理孫在亨表示：“氮化鎵又被稱做寬禁帶半導(dǎo)體，是當(dāng)今世界上最具潛力的半導(dǎo)體材料之一。中國是世界上最大的半導(dǎo)體產(chǎn)品市場，同時也是產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展最迅速國家。氮化鎵產(chǎn)業(yè)將帶來巨大的創(chuàng)新發(fā)展機(jī)遇。”
英諾賽科是2015年12月由海歸團(tuán)隊發(fā)起創(chuàng)辦，從事寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的研發(fā)與生產(chǎn)，一期項目位于珠海市國家級高新區(qū)，已完成投資10.9億元，建設(shè)8英寸增強(qiáng)型硅基氮化鎵外延與芯片大規(guī)模量產(chǎn)生產(chǎn)線。公司商業(yè)模式將采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，打造集研發(fā)、設(shè)計、外延生長、芯片制造、測試于一體的生產(chǎn)平臺，主要產(chǎn)品包括100V-650V8英寸硅基氮化鎵外延片、100V-650V氮化鎵功率器件、氮化鎵集成電路。
