國(guó)家工信部科技司科技創(chuàng)新處處長(zhǎng)張力超、國(guó)家工信部電子信息司集成電路處副處長(zhǎng)龍寒冰、國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金有限公司總經(jīng)理丁文武、張家港市委副書記、市長(zhǎng)黃戟、國(guó)家工信部電子信息司原副巡視員、中國(guó)半導(dǎo)體照明/LED產(chǎn)業(yè)與應(yīng)用聯(lián)盟秘書長(zhǎng)關(guān)白玉、中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)副理事長(zhǎng)陳賢、中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)副理事長(zhǎng)袁桐、中國(guó)科學(xué)院微電子研究所所長(zhǎng)葉甜春、中寬聯(lián)聯(lián)盟理事長(zhǎng)、山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司董事長(zhǎng)宗艷民等領(lǐng)導(dǎo)出席會(huì)議。黃戟市長(zhǎng)、宗艷民理事長(zhǎng)，龍寒冰副處長(zhǎng),丁文武總經(jīng)理分別致辭，祝賀大會(huì)的隆重召開。

　　2017年5月18日下午，中央政治局委員、國(guó)務(wù)院副總理、國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展領(lǐng)導(dǎo)小組組長(zhǎng)馬凱、國(guó)務(wù)院副秘書長(zhǎng)丁學(xué)東、工業(yè)和信息化部部長(zhǎng)苗圩、國(guó)家發(fā)改委副主任胡祖才、北京市副市長(zhǎng)陰和俊一行蒞臨視察調(diào)研北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司。
 

　　同時(shí)，參加陪同的有國(guó)務(wù)院研究室工交貿(mào)易司司長(zhǎng)張軍立、財(cái)政部副巡視員趙長(zhǎng)勝、科技部副巡視員邱鋼、工業(yè)和信息化部電子信息司副司長(zhǎng)彭紅兵、北京市經(jīng)濟(jì)和信息化委員會(huì)主任張伯旭、北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)管委會(huì)主任梁勝等領(lǐng)導(dǎo)。
 

　　京電子控股董事長(zhǎng)王巖、北方華創(chuàng)董事長(zhǎng)張勁松、副董事長(zhǎng)耿錦啟、總裁趙晉榮、高級(jí)副總裁張國(guó)銘等領(lǐng)導(dǎo)參加了接待。
 

　　馬凱副總理一行聽取了北方華創(chuàng)總裁趙晉榮關(guān)于北方華創(chuàng)微電子在集成電路裝備領(lǐng)域發(fā)展情況的匯報(bào)，隨后進(jìn)入潔凈廠房深入產(chǎn)品研發(fā)與制造現(xiàn)場(chǎng)，并詳細(xì)詢問了關(guān)于刻蝕機(jī)、PVD、CVD、氧化爐、清洗機(jī)等集成電路核心裝備的研發(fā)、生產(chǎn)和市場(chǎng)銷售情況。馬凱副總理多次表揚(yáng)北方華創(chuàng)微電子緊跟市場(chǎng)需求，以市場(chǎng)為導(dǎo)向的發(fā)展戰(zhàn)略;并對(duì)應(yīng)用于集成電路、先進(jìn)封裝、LED、MEMS、光伏等領(lǐng)域的裝備大范圍實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)化替代，取得高占有率給予了肯定和鼓勵(lì)。

　　2017年8月26日，由中國(guó)科學(xué)院微電子研究所和株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司共同完成的“高性能SiC SBD、mosFET電力電子器件產(chǎn)品研制與應(yīng)用驗(yàn)證”項(xiàng)目科技成果鑒定會(huì)在北京順利召開。
 

　　本次鑒定會(huì)由中國(guó)電子學(xué)會(huì)組織，西安電子科技大學(xué)的郝躍院士擔(dān)任鑒定會(huì)主任，中國(guó)IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、中電集團(tuán)五十五所、電子科技大學(xué)、北京大學(xué)、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院、中科院電工所和中科院物理所等各單位專家組成了鑒定委員會(huì)。
 

　　“高性能SiC SBD、MOSFET電力電子器件產(chǎn)品研制與應(yīng)用驗(yàn)證”項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)了高性能SiC SBD 650V/150A、1200V/100A、1700V/50A、3300V/32A和5000V/3A 五個(gè)代表品種和SiC MOSFET 600V/5A、1200V/20A 和1700V/5A 三個(gè)代表品種，部分產(chǎn)品已用于光伏逆變、軌道交通、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域。
 

　　經(jīng)質(zhì)詢和討論，鑒定委員會(huì)認(rèn)為該項(xiàng)目在高功率SiC器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、關(guān)鍵制造工藝和界面態(tài)控制等技術(shù)取得突破，器件性能達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)水平，成果已經(jīng)在地鐵車輛牽引系統(tǒng)運(yùn)行6000公里，光伏電場(chǎng)掛機(jī)發(fā)電19.5MWh，混合動(dòng)力城市客車運(yùn)行9469公里，具有良好的社會(huì)和經(jīng)濟(jì)效益。鑒定委員會(huì)一致同意該項(xiàng)目成果通過科技成果鑒定。

　　江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司，成立于2010年6月，是一家專業(yè)設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售以氮化鎵(GaN)為代表的新一代復(fù)合半導(dǎo)體高性能的外延、晶圓、器件及模塊的高科技公司。經(jīng)過7年的沉淀，能華終于跨出歷史性的一步，截止2017年6月底，企業(yè)一期產(chǎn)業(yè)化廠房已經(jīng)建設(shè)完畢，占地達(dá)到2萬平米，即將進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn)階段。
 

　　長(zhǎng)期以來，我國(guó)超過80%的半導(dǎo)體芯片源于國(guó)外進(jìn)口, 每年芯片進(jìn)口支出金額巨大，高達(dá)千億美元，而我國(guó)對(duì)于第三代半導(dǎo)體芯片的研發(fā)也相對(duì)較晚，再加上國(guó)際環(huán)境的影響，我國(guó)第三代半導(dǎo)體工藝技術(shù)處于世界落后水平。江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司氮化鎵8英寸線的建成，有望打破這一現(xiàn)狀。公司從2017年3月正式籌備建設(shè)氮化鎵8英寸生產(chǎn)線，以滿足未來客戶需求，目前8英寸生產(chǎn)線已經(jīng)正式啟用，這是中國(guó)首條8英寸氮化鎵芯片生產(chǎn)線，填補(bǔ)了我國(guó)在氮化鎵8英寸線這一領(lǐng)域的空白，將帶來一場(chǎng)巨大的工藝變革。

　　2017年12月9日上午，北京市新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心成立儀式在北汽新能源總部中國(guó)·藍(lán)谷舉行。北京市委常委、副市長(zhǎng)陰和俊，市政府副秘書長(zhǎng)劉印春，北京市科委黨組書記、主任許強(qiáng)等相關(guān)政府領(lǐng)導(dǎo)，北京市新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心發(fā)起共建方，汽車與科技領(lǐng)域行業(yè)專家，以及北汽集團(tuán)等相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)出席了儀式。
 

　　北京市科委主任許強(qiáng)在儀式講話中表示，建設(shè)北京市新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心，是落實(shí)習(xí)總書記重要指示精神和貫徹落實(shí)黨的十九大報(bào)告中，關(guān)于“建立以企業(yè)為主體、市場(chǎng)為導(dǎo)向、產(chǎn)學(xué)研深度融合的技術(shù)創(chuàng)新體系”部署的重大舉措，對(duì)推動(dòng)產(chǎn)、學(xué)、研合作，提升技術(shù)創(chuàng)新能力與核心競(jìng)爭(zhēng)力，更好的支撐全國(guó)科技創(chuàng)新中心建設(shè)，具有十分重要而迫切的現(xiàn)實(shí)意義。
 

　　北京市新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心將以打造一個(gè)世界級(jí)新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新高地(策源地)為總體目標(biāo)，力爭(zhēng)打造一個(gè)“中心”、兩個(gè)“高地”、三個(gè)“平臺(tái)”，即：具有全球影響力的新能源汽車共性、前沿關(guān)鍵技術(shù)的集成創(chuàng)新中心。引領(lǐng)全球的新能源汽車研發(fā)、制造、服務(wù)的技術(shù)、標(biāo)準(zhǔn)、模式的輸出高地;新能源汽車高端創(chuàng)新人才集聚高地。國(guó)際一流的新能源汽車科研成果轉(zhuǎn)化與產(chǎn)業(yè)化平臺(tái);面向全球的新能源汽車學(xué)術(shù)交流、專業(yè)咨詢、高端人才培養(yǎng)與交流平臺(tái);立足北京、面向全球的專注于新能源汽車科研轉(zhuǎn)化的金融創(chuàng)投平臺(tái)。
 

　　此次北京市新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心的發(fā)起共建方共計(jì)15家，涵蓋新能源汽車領(lǐng)域上下游產(chǎn)業(yè)鏈各類優(yōu)勢(shì)資源。北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司作為首批發(fā)起共建方之一出席了該儀式，董事長(zhǎng)李百泉作為半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍人物，與其他14家企業(yè)核心代表，共同見證了這個(gè)歷史時(shí)刻。

　　近期，科技部高新司在蘇州組織召開了“十二五”國(guó)家863計(jì)劃主題項(xiàng)目“能源高效轉(zhuǎn)換高壓大容量新型功率器件研發(fā)與應(yīng)用”驗(yàn)收會(huì)。該項(xiàng)目共設(shè)4個(gè)課題，由西電集團(tuán)、浙江大學(xué)、中電集團(tuán)五十五所、冶金自動(dòng)化研究院、中科院電工所等多家單位共同完成。
 

　　項(xiàng)目經(jīng)過多年攻關(guān)，研制了基于自主碳化硅外延材料的4500V/100A碳化硅二極管和4500V /50A碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管，并通過了高溫反偏、溫度循環(huán)、功率循環(huán)、溫度和濕度試驗(yàn)等可靠性試驗(yàn);研制了10kV/200A碳化硅多芯片串聯(lián)功率模塊;研制了10kV/200A硅基IGBT多芯片串聯(lián)功率模塊，在逆變器樣機(jī)中進(jìn)行了應(yīng)用驗(yàn)證;開發(fā)了碳化硅器件和硅基IGBT器件靜態(tài)和動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試平臺(tái)，靜態(tài)測(cè)試能力10kV/800A /300°C，動(dòng)態(tài)測(cè)試能力6.5kV/800A /300°C;研制了超大容量電力電子變換器全數(shù)字控制系統(tǒng)，調(diào)速誤差小于0.008%，電流動(dòng)態(tài)響應(yīng)時(shí)間小于9.2ms，速度動(dòng)態(tài)響應(yīng)時(shí)間小于80ms;研制了IGCT器件電力電子變換裝置，容量21MVA/6.9kV，并在中航工業(yè)606所完成了示范應(yīng)用;研制了基于IGBT模塊的MMC變流裝置，容量12.5MVA/10kV，并在西電集團(tuán)完成了示范應(yīng)用。
 

　　作為我國(guó)在第三代半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的一個(gè)重要布局，本項(xiàng)目突破了碳化硅功率器件、封裝和應(yīng)用領(lǐng)域的一系列關(guān)鍵技術(shù)，解決了我國(guó)高壓大容量碳化硅核心功率器件從“無”到“有”的問題，構(gòu)建了我國(guó)自主的碳化硅電力電子技術(shù)鏈，培養(yǎng)了一批技術(shù)骨干人才，為建立我國(guó)自主的碳化硅電力電子產(chǎn)業(yè)和能源、交通、制造等重要領(lǐng)域的社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)并提供了良好的保障。
 

　　專家組一致認(rèn)為，該項(xiàng)目完成了立項(xiàng)通知規(guī)定的研究?jī)?nèi)容及主要考核指標(biāo)，同意該項(xiàng)目通過驗(yàn)收。

　　9月1日，美的家用空調(diào)與華南理工大學(xué)、鎵能半導(dǎo)體(佛山)有限公司、廈門芯光潤(rùn)澤科技有限公司四方共建第三代半導(dǎo)體器件研發(fā)應(yīng)用聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室協(xié)議簽署和揭牌儀式在美的家用空調(diào)事業(yè)部舉行。佛山市科技局梁達(dá)明副局長(zhǎng)、葉偉峰科長(zhǎng)、華南理工大學(xué)電子與信息學(xué)院院長(zhǎng)李斌、鎵能半導(dǎo)體(佛山)有限公司總經(jīng)理李孟、廈門芯光潤(rùn)澤科技有限公司總經(jīng)理徐曉輝，以及家用空調(diào)事業(yè)部李金波、李猛、馮宇翔、段文訓(xùn)等各方專家和領(lǐng)導(dǎo)出席了儀式。
 

　　隨著半導(dǎo)體科學(xué)的迅速發(fā)展，以氮化鎵和碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體展現(xiàn)出了許多硅基材料無法比擬的優(yōu)勢(shì)，但是在器件制備和實(shí)際應(yīng)用上還面臨著一系列的困難。此次合作的各方，美的擁有豐富的下游應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)，可以把握器件的設(shè)計(jì)方向，并對(duì)應(yīng)用效果進(jìn)行驗(yàn)證;華南理工大學(xué)作為國(guó)內(nèi)微電子領(lǐng)域的重要高校之一，負(fù)責(zé)器件理論機(jī)理和系統(tǒng)應(yīng)用方向的基礎(chǔ)研發(fā);鎵能半導(dǎo)體和芯光潤(rùn)澤分別在氮化鎵和碳化硅器件領(lǐng)域擁有豐富的設(shè)計(jì)與封裝經(jīng)驗(yàn)，將為聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室提供器件、芯片和模塊等方面的技術(shù)支援。聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的成立，旨在結(jié)合高校和企業(yè)各自的優(yōu)勢(shì)，四方將依托該聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室平臺(tái)，立足于第三代半導(dǎo)體，在技術(shù)研究、市場(chǎng)應(yīng)用、人才培養(yǎng)等方面建立全面的、長(zhǎng)期的、穩(wěn)定的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。

　　美國(guó)雷神公司聯(lián)合英國(guó)紐卡斯?fàn)柎髮W(xué)共同研究碳化硅(SiC)和二氧化硅(SiO2)的接口特性，以提升SiC電子器件性能，特別是雷神公司自己的SiC互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)工藝。SiC和二氧化硅的接口特性對(duì)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的性能具有非常重要的影響。兩種半導(dǎo)體材料接口處的缺陷會(huì)對(duì)MOSFET所能承載的閾值電壓和最大電流造成影響。
 

　　雷神公司的約翰·肯尼迪表示：“接口處的缺陷成為碳化硅器件大面積應(yīng)用的主要阻礙，如阻礙了其在宇航、汽車、鐵路和能源等領(lǐng)域的應(yīng)用，而這些領(lǐng)域?qū)Ω咝阅芷骷�的需求卻在不斷上漲。”
 

　　對(duì)于接口特性的詳細(xì)研究可使雷神公司通過優(yōu)化制造工藝來降低缺陷出現(xiàn)的概率，不僅為其功率模塊、產(chǎn)品和系統(tǒng)帶來具有更高性能的器件，還為使用雷神公司先進(jìn)代工工藝的客戶帶來好處。
 

　　未來，該項(xiàng)目將發(fā)布一系列研究成果，包括SiC/SiO2接口特性的表征、缺陷對(duì)MOSFET性能影響的建模、新型氧化物結(jié)構(gòu)和工藝的短循環(huán)試驗(yàn)、最佳氧化物結(jié)構(gòu)的全CMOS晶圓集成、研究過程中工藝的不斷優(yōu)化和性能的不斷提升等。
 

　　肯尼迪總結(jié)道：“與紐卡斯?fàn)柎髮W(xué)合作的該項(xiàng)研究是我們除正常工作外的額外研究。我們的代工廠仍對(duì)全球碳化硅功率器件的研發(fā)項(xiàng)目提供支持。處于產(chǎn)品研發(fā)周期任何階段的客戶都可從我們的經(jīng)驗(yàn)和改進(jìn)的能力中受益，實(shí)現(xiàn)從SiC器件和工藝能力研發(fā)到滿負(fù)荷生產(chǎn)的全過程。

　　美國(guó)空軍研究實(shí)驗(yàn)室(AFRL)和國(guó)防部長(zhǎng)辦公室(OSD)授予馬薩諸塞州沃爾瑟姆的雷神公司1490萬美元的合同，以進(jìn)一步加強(qiáng)其生產(chǎn)基于氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的工藝。新協(xié)議遵循先前于2013年完成的GaN合同，旨在提高雷神公司生產(chǎn)GaN基多頻寬單片微波集成電路(MMIC)和環(huán)行器組件的性能，產(chǎn)量和可靠性。
 

　　由于GaN可以在微波頻率下有效地放大高功率射頻信號(hào)(增強(qiáng)系統(tǒng)的射程和干擾處理，同時(shí)減小尺寸，重量，功率和成本)，因此廣泛用于軍用雷達(dá)和防御系統(tǒng)，包括美國(guó)海軍的空中和導(dǎo)彈防御雷達(dá)(AMDR)和下一代干擾器(NGJ)。
 

　　雷神公司集成防御系統(tǒng)(IDS)業(yè)務(wù)部門的先進(jìn)技術(shù)副總裁Colin Whelan認(rèn)為：“當(dāng)利用氮化鎵技術(shù)可以為軍事應(yīng)用帶來改變游戲規(guī)則的能力時(shí)，我們只是觸及表面。雷神公司在發(fā)展GaN技術(shù)上投資價(jià)值2億美元，歷時(shí)17年，這個(gè)合同將建立在此基礎(chǔ)上。”他補(bǔ)充說。“在接下來的兩年中，我們將進(jìn)一步完善我們的GaN工藝，以推動(dòng)射頻性能的極限，同時(shí)保持或提高產(chǎn)量和可靠性。”
 

　　這項(xiàng)技術(shù)的第一次驗(yàn)證將被并入雷神空間和機(jī)載系統(tǒng)的下一代干擾計(jì)劃中，該計(jì)劃預(yù)定在2018年進(jìn)行小批量試生產(chǎn)。

　　丹佛斯硅動(dòng)力事業(yè)部為加固其在美國(guó)的市場(chǎng)地位，正在與行業(yè)巨頭通用電器(GE)展開合作。這項(xiàng)合作意味著丹佛斯硅動(dòng)力事業(yè)部將成為碳化硅(SiC)功率模塊的世界級(jí)龍頭供應(yīng)商。
 

　　碳化硅功率模塊將成就更小、更快、更高效的電子器件，并且有望對(duì)太陽能、風(fēng)能和未來的電力與混合動(dòng)力汽車實(shí)現(xiàn)技術(shù)革新。

　　丹佛斯與通用電氣此次跨越太平洋的合作將成為紐約電力電子制造聯(lián)盟(NY-PEMC)的一部分，該聯(lián)盟位于紐約州北部的尤蒂卡。

　　丹佛斯硅動(dòng)力事業(yè)部將于2018年初之前在尤蒂卡建成完整的碳化硅功率模塊封裝生產(chǎn)線，并將在未來幾年創(chuàng)造數(shù)百個(gè)工作崗位。