據報道，臺積電當時斥資30億美元，在南京廠以16納米制程導入試產之后，原本預計在2018年年底進行量產計劃。未來正式進入量產之后，臺積電南京廠預計每月將有2.2萬片12英寸晶圓的產能。
2017年9月，臺積電發(fā)布新聞稱，將在南部科學工業(yè)園區(qū)臺南園區(qū)投資興建3nm制程廠。按照制程的推進，10nm之后是7nm，然后是5nm和3nm直到1nm。不過，Intel此前也表示，3/5mn將面臨很多前沿性的技術難題。
制造工藝到底是什么？
芯片的制造工藝常常用90nm、65nm、40nm、28nm、22nm、14nm來表示。現在的CPU內集成了以億為單位的晶體管，這種晶體管由源極、漏極和位于他們之間的柵極所組成，電流從源極流入漏極，柵極則起到控制電流通斷的作用。
而所謂的XX nm其實指的是，CPU的上形成的互補氧化物金屬半導體場效應晶體管柵極的寬度，也被稱為柵長。
柵長越短，則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管——Intel曾經宣稱將柵長從130nm減小到90nm時，晶體管所占得面積將減小一半；在芯片晶體管集成度相當的情況下，使用更先進的制造工藝，芯片的面積和功耗就越小，成本也越低。
柵長可以分為光刻柵長和實際柵長，光刻柵長則是由光刻技術所決定的。由于在光刻中光存在衍射現象以及芯片制造中還要經歷離子注入、蝕刻、等離子沖洗、熱處理等步驟，因此會導致光刻柵長和實際柵長不一致的情況。
另外，同樣的制程工藝下，實際柵長也會不一樣，比如雖然三星也推出了14nm制程工藝的芯片，但其芯片的實際柵長和Intel的14nm制程芯片的實際柵長依然有一定差距。
為什么要縮小制程？
1，就是可以在更小的晶片中塞入更多的電晶體，讓晶片不會因技術提升而變得更大；
2，可以增加處理器的運算效率；
3，減少體積也可以降低耗電量；
4，晶片體積縮小后，更容易塞入行動裝置中，滿足未來輕薄化的需求。
納米制程對半導體公司意味著什么？
在半導體芯片行業(yè)，企業(yè)的模式主要分三種，像英特爾這種，從設計，到制造、封裝測試以及投向消費市場一條龍全包的企業(yè)，稱為稱為IDM(Integrated Design and Manufacture)公司。
而有的公司只做設計這塊，是沒有fab（工廠）的，通常就叫做Fabless。例如AMD、高通、博通等。
而還有的公司，只做代工，只有fab，不做設計，稱為Foundry（代工廠），常見的臺積電等。
納米制程是針對IDM和Foundry而言，Fabless沒有工廠，不需要擔心納米制程的問題。他們只需要選擇合作對象，給他們設計的芯片進行代工，所以更先進的制程對于IDM和Foundry的意義就不言而喻了。
各大廠商的納米制程進度如何？
英特爾
英特爾在2014年進入14納米世代時，近幾年來持續(xù)微縮推出加強版，至今仍是全球技術最領先的制程，只是過去領先競爭者2～3個世代的差距，隨著臺積電及三星今年跨入10納米世代后，已縮小至1～1.5個世代。2017年下班年英特爾計劃開始啟動10納米制程量產，然而到目前為止，10納米技術卻仍然沒有到來。
英特爾10納米芯片延遲推出，主要是出于財務方面的考慮，并不是因為它沒有能力制造良好的10納米CPU。大家應該都知道英特爾有許多Fab工廠，而工廠正是英特爾CPU成功的關鍵原因之一。
英特爾CPU集團從英特爾Fab訂購圓晶，在外人看來，二者名義不同但實際是一樣的，其實不是，它們由兩家獨立的公司運營。不論什么時候，英特爾Fab都想用圓晶賺更多的錢。
2018年英特爾10納米芯片（也就是Cannon Lake、Ice Lake）就會出貨，到時英特爾希望良率能達到非常高的水平。
三星
三星量產14nm工藝都快兩年了，即使領先同業(yè)量產 10 納米，晶圓代工廠的主要客戶有高通，但仍無法有效與臺積電競爭。
三星在7納米制程暫時敗給臺積電，面對蘋果、高通等大客戶訂單紛落入臺積電口袋，三星醞釀展開反擊，日前與南韓華城市達成共識，計劃建立新的7納米制程生產線，三星并與美系、大陸客戶洽談新的合作案，積極反擊的策略明顯。
三星在分拆晶圓代工部門之后，調整戰(zhàn)術愈益積極，計劃2020年推出4納米制程，顯然是瞄準臺積電5納米制程而來，三星也規(guī)劃在2017~2020年之間，持續(xù)推進半導體制程技術，計劃2018年量產7納米，2019年陸續(xù)投入6納米和5納米研發(fā)。
三星晶圓代工部門相關主管對外表示，預計以5年的時間拿下全球晶圓代工25%市占率。目前臺積電的全球市占率接近60%，遠高于其他競爭對手，三星的市占率還不到10%。三星早期是幫蘋果手機處理器芯片做代工，之后專注切入高端制程技術，甚至在14納米和10納米FinFET制程世代，搶下臺積電大客戶高通的訂單，讓其晶圓代工事業(yè)一戰(zhàn)成名。
不過，在進入7納米制程世代之后，臺積電同時搶下蘋果和高通訂單，明顯大贏三星，為此三星的晶圓代工事業(yè)策略亦出現明顯改變，過去專注于高端制程快速超車，近期則廣泛與各應用領域客戶接觸，讓晶圓代工業(yè)務布局更廣泛，借以拉升市占率。
臺積電
根據2016年臺積電發(fā)布的財報顯示：臺積電28納米以下先進制程占據晶圓代工營收的56%，其中16/20納米制程、28納米制程各占營收的比重為31%、25%。
目前，全球晶圓代工營收市占率逼近六成；在全球半導體制造技術上，掌握 10 納米制程技術的臺積電，不論技術與規(guī)模，都是全球晶圓代工業(yè)的領先廠商。
全球半導體產業(yè)備受矚目的7納米制程大戰(zhàn)，2018年初由臺積電搶先領軍登場，盡管三星電子(Samsung Electronics)亦規(guī)劃7納米制程，然臺積電已拿下逾40個客戶，涵蓋移動通訊、高速運算、人工智能(AI)等領域，是歷年來應用和客戶層面最廣泛的高端制程，尤其臺積電通吃蘋果iPhone處理器芯片大單，2018年晶圓代工戰(zhàn)局臺積電已經先贏大半。
近期臺積電再度披露先進制程規(guī)劃，5納米制程生產基地Fab18將在南科正式動工，且一次規(guī)劃三期，至于3納米制程的啟動時程雖然還未公布，但臺積電已透露將投入超過200億美元來規(guī)劃3納米，明顯要與已分割獨立晶圓代工部門的三星全面拚戰(zhàn)。
臺積電雖然在7納米制程世代旗開得勝，但亦已感受到三星在制程技術急起直追的壓力，因此，臺積電在5納米制程布局絲毫不敢松懈，目前規(guī)劃5納米制程生產基地是Fab18，預計2018年在南科正式動工，且規(guī)劃三期土地，顯示其對于5納米世代的重視程度。
半導體業(yè)者指出，臺積電5納米制程將是7納米世代的延續(xù)，應用領域同樣鎖定行動通訊、高速運算、人工智能、機器學習等，預計2019年上半進入風險量產。
另外，臺積電7納米(N7)制程于2018年量產，生產基地在Fab12和Fab14第三期，預計強化版的7納米(N7+)制程將導入極紫外光(EUV)技術，以達到生產成本和芯片密度的最佳甜蜜點。
格羅方德
格羅方德使用了三星的14nmFinFET工藝授權，若制程微縮進展順利，2018年10納米處理器可望量產，2020年進入7納米世代。格羅方德的主要客戶包括AMD、ARM、博通、英偉達、高通、意法半導體、TI等。
臺灣聯華電子
聯電一度是跟臺積電并列的臺灣晶圓代工廠，不過在28nm節(jié)點之后已經被臺積電甩開，他們現在28nm工藝的營收比例也不過21%，主力還是40nm工藝。在FinFET節(jié)點上，臺積電選擇了16nm，聯電跟三星一樣都是14nm FinFET工藝。
2017年2月23日，該公司所自主研發(fā)的 14 納米鰭式場效電晶體 (FinFET) 制程技術，已成功進入客戶芯片量產階段。首個客戶是BitFury，他們的比特幣礦機芯片將使用UMC的14nm工藝代工。
中芯國際
中芯國際是世界領先的集成電路晶圓代工企業(yè)之一，也是中國內地規(guī)模最大、技術最先進的集成電路晶圓代工企業(yè)。中芯國際向全球客戶提供0.35微米到28納米晶圓代工與技術服務。從制程節(jié)點看，40nm以上成熟工藝占絕大多數。
目前中芯28納米僅占營收5%，中芯將持續(xù)投入28納米新平臺與14納米研發(fā)的推進。預計2019年14納米投入試產。
2017年10月16日，中芯國際發(fā)布公告稱，前臺積電資深研發(fā)處長梁孟松已獲委任公司聯合首席執(zhí)行官。人才加入，應該是中芯國際推進納米制程技術過程中的重要環(huán)節(jié)。
在28納米制程上，中芯也提出三階段的規(guī)劃藍圖。趙海軍指出，第一階段的polySion制程已經量產，第二階段是第一代的HKMG制程(中芯稱為HKC制程)已經在今年第2季開始產出，目標是28納米突破10%營收，而第三階段是第二代的HKC制程，預計在2018年底量產。
