(a)DFB全硅激光器的光泵浦和發(fā)光示意圖；插圖：DFB激光器件的實物照片。(b)樣品的PL譜隨泵浦功率的變化；背景：DFB結(jié)構的橫截面SEM圖像

集成硅光電子結(jié)合了當今兩大支柱產(chǎn)業(yè)—微電子產(chǎn)業(yè)和光電子產(chǎn)業(yè)—的精華，預期將在通信、傳感、照明、顯示、成像、檢測等眾多領域帶來新的技術革命。

硅激光器是實現(xiàn)集成硅光電子的關鍵。由于硅的間接帶隙結(jié)構特性，目前，硅的光增益較之通常的III-V族激光材料，仍有1-2個數(shù)量級的差距。為避開這個瓶頸，國際上將成熟的III-V族激光器制備在硅基片上，成為一種混合的硅基激光器。而以硅自身作為增益介質(zhì)的全硅激光器可以更好地匹配現(xiàn)有硅工藝，大幅提升器件的可靠性，其研制既是科學技術上的挑戰(zhàn)，也是集成硅光電子所必需。

為了大幅增強硅的光增益，復旦大學吳翔教授、陸明教授和張樹宇副教授合作團隊，首先借鑒并發(fā)展了一種高密度硅納米晶薄膜生長技術，由此顯著提高了硅發(fā)光層的發(fā)光強度;之后，為克服通常氫鈍化方法無法充分飽和懸掛鍵缺陷這一問題，他們發(fā)展了一種新型的高壓低溫氫鈍化方法，使得硅發(fā)光層的光增益一舉達到通常III-V族激光材料(如GaAs、InP等)的水平;在此基礎上，他們設計和制備了相應的分布反饋式(DFB)諧振腔，最終成功獲得光泵浦DFB型全硅激光器。光泵浦全硅激光器的研制成功，也為下一步研制電泵浦全硅激光器提供了參考依據(jù)。

實驗發(fā)現(xiàn)，隨著高壓低溫氫鈍化的進行，硅發(fā)光層的光增益持續(xù)增強，最終達到GaAs、InP的水平。實驗中還觀察到了滿足激光產(chǎn)生條件的所有判據(jù)：閾值效應、譜線大幅收窄、偏振效應以及定向發(fā)射。激射峰值為770nm波長。之后他們又重復制備了四個相同結(jié)構的激光器。由于各發(fā)光層的有效折射率略有差異，所得到的四個激射峰值波長分布在760-770nm范圍，半峰寬(FWHM)由激射前的約120nm縮小到激射后的7nm。該項目由國家自然科學基金(No.51472051,61275178,61378080,61705042)和上海市揚帆計劃(16YF1400700)等提供支持。