時代電氣半導(dǎo)體事業(yè)部6英寸碳化硅(SiC)生產(chǎn)線是國內(nèi)首條6英寸SiC 生產(chǎn)線，獲得了國家“02專項 ”、國家發(fā)改委新材料專項等國家重點項目支持，是公司的重點投資項目之一。在中國科學(xué)院微電子研究所的支持和協(xié)助下，半導(dǎo)體事業(yè)部SiC 產(chǎn)品開發(fā)團隊完成了SiC 芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計、高溫離子注入機等50余臺工藝設(shè)備和90余項工藝調(diào)試，實現(xiàn)SiC 二極管和mosFET芯片工藝流程整合，成功試制1200V SiC肖特基二極管功率芯片。
中車時代電氣于2011年與中科院微電子所成立聯(lián)合研發(fā)中心，正式開展SiC功率半導(dǎo)體器件研究;2013年后，陸續(xù)獲得國家科技重大專項“02專項”等多項國家重點項目支持;2016年公司自主研發(fā)的碳化硅功率模塊在軌道交通、光伏逆變器成功進行示范應(yīng)用;2017年底，6英寸碳化硅(SiC)生產(chǎn)線完成技術(shù)調(diào)試。此次6英寸SiC芯片試制成功是我國SiC功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展的里程碑，是SiC 芯片國產(chǎn)化進程的重要一步，用事實和實力提振了國產(chǎn)寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的信心。
