早在2013年，三菱電機供軌道交通車輛使用、搭載3.3kV的全SiC功率模塊便已實現(xiàn)了商業(yè)化。其后，三菱電機堅持致力于推廣更節(jié)能的SiC功率模塊以逐步取代傳統(tǒng)的Si功率模塊。

1月31日，三菱電機株式會社宣布已成功開發(fā)出6.5kV耐壓等級全SiC功率模塊，該模塊采用單芯片構造和新封裝，在1.7kV到6.5kV同類功率模塊中實現(xiàn)了世界最高等級的功率密度（按功率半導體的額定電壓和電流計算）。三菱電機期待通過使用本模塊，幫助對有高電壓需求的軌道交通、電力系統(tǒng)實現(xiàn)電力電子設備的小型化和節(jié)能化。

6.5kV全SiC功率模塊樣品

產(chǎn)品特點

1、6.5kV全SiC功率模塊，有助于實現(xiàn)電力電子設備的小型化、節(jié)能化

實現(xiàn)了與Si IGBT功率模塊一樣的最高電壓6.5kV；

全SiC技術提升了功率密度和效率，并且可以通過提高器件開關頻率，有助于實現(xiàn)高壓變流器的小型化和節(jié)能化。

2、單芯片構造和高散熱、高耐熱的新型封裝，實現(xiàn)了高壓功率模塊世界最高功率密度

在一個功率芯片上集成SiC-MOSFET和二極管，大幅減小芯片面積；

采用高導熱性和高耐熱性的絕緣襯底以及高可靠性的芯片焊接技術，實現(xiàn)了高散熱和高耐熱性能的小型封裝；

在額定電壓為1.7kV到6.5kV的功率模塊中，實現(xiàn)了世界最高功率密度（9.3kVA/cm3）。

產(chǎn)品封裝

新型全SiC功率模塊采用業(yè)界標準封裝（三菱電機HV100），與本公司的HV100系列Si IGBT模塊也兼容。

新老產(chǎn)品比較

采用專利

本次開發(fā)是受日本研究開發(fā)法人新能源•產(chǎn)業(yè)技術綜合開發(fā)機構（NEDO）的推動而實施的。專利數(shù)統(tǒng)計：日本國內專利9件，國際專利3件。

開發(fā)主持單位：

三菱電機株式會社  尖端技術綜合研究所

開發(fā)參與單位：

DOWA エレクトロニクス株式會社、

三菱マテリアル株式會社、

デンカ株式會社、

日本ファインセラミックス株式會社、

國立大學法人東京工業(yè)大學、

學校法人芝浦工業(yè)大學、

國立大學法人九州工業(yè)大學、

國立研究開発法人産業(yè)技術総合研究所