來(lái)自香港應(yīng)科院、北京大學(xué)、基本半導(dǎo)體等院校和企業(yè)的專家分別從第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展及應(yīng)用、器件生產(chǎn)制造和產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇等角度發(fā)表了主題演講。和巍巍博士重點(diǎn)介紹了碳化硅器件的優(yōu)勢(shì)、市場(chǎng)與應(yīng)用、發(fā)展現(xiàn)狀和基本半導(dǎo)體研發(fā)成果。

  目前各國(guó)對(duì)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)非常重視，在政府發(fā)布的《中國(guó)制造2025》的行動(dòng)綱領(lǐng)中，多次提到以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體發(fā)展目標(biāo)。政府到民間都有投入大量資源，加大器件開發(fā)力度，基本半導(dǎo)體是目前碳化硅功率器件領(lǐng)域發(fā)展的佼佼者。

   基本半導(dǎo)體自主研發(fā)了各電流電壓等級(jí)的標(biāo)準(zhǔn)及高溫應(yīng)用 JBS二極管、平面、溝槽MOSFET，10kV以上PiN二極管，各項(xiàng)性能指標(biāo)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。其獨(dú)有的3D外延技術(shù)(3D SiC)，能夠充分利用碳化硅的材料潛力，實(shí)現(xiàn)更高功率和更低損耗。該技術(shù)與普通的碳化硅器件設(shè)計(jì)方案相比，可以實(shí)現(xiàn)更低的肖特基勢(shì)壘，和更高遷移率的MOSFET設(shè)計(jì)，進(jìn)一步降低損耗30%以上，實(shí)現(xiàn)更高效的集成器件。

   本次論壇共有深圳相關(guān)科技主管單位領(lǐng)導(dǎo)、深港科研機(jī)構(gòu)高級(jí)研究人員、行業(yè)應(yīng)用廠商、關(guān)注集成電路行業(yè)的資深投資機(jī)構(gòu)、投資人等百余位專業(yè)人士參加。在圓桌論壇環(huán)節(jié)，幾位專家從機(jī)遇和挑戰(zhàn)兩個(gè)維度深入討論了第三代半導(dǎo)體行業(yè)的國(guó)際形勢(shì)和國(guó)內(nèi)發(fā)展現(xiàn)狀等話題。

  第三代半導(dǎo)體技術(shù)及應(yīng)用高峰論壇圓滿結(jié)束，眾多行業(yè)人士為產(chǎn)業(yè)發(fā)展獻(xiàn)策獻(xiàn)力，打造交流合作的平臺(tái)，將進(jìn)一步促進(jìn)第三代半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的緊密結(jié)合，共同推動(dòng)行業(yè)快速向前發(fā)展。