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美國EPC推出氮化鎵功率晶體管，體積只是對等硅MOSFET的1/20

已有51744次閱讀2018-05-30標(biāo)簽:
 美國高效功率轉(zhuǎn)換(EPC)公司推出350V GaN晶體管EPC2050,脈沖輸出電流為26A，最大RDS(on)為65 mΩ，應(yīng)用領(lǐng)域包括太陽能逆變器、電動車充電器、電機驅(qū)動、多級轉(zhuǎn)換器配置，如用于服務(wù)器和通信單元的3級400V輸入到48V輸出LLC轉(zhuǎn)換器。

 

　　EPC2050尺寸為1.95×1.95mm2，是對應(yīng)硅MOSFET尺寸的1/20。盡管采用小尺寸的芯片級封裝，公司表示，EPC2050的散熱效率高于塑料封裝的MOSFET。


 

　　圖為EPC2050

　　開發(fā)板

　　EPC9084開發(fā)板是350V最大器件電壓、5A最大輸出電流、半橋開發(fā)板，面積為51×38mm2，包含350V EPC2050增強型(eGaN)場效應(yīng)管(FET)和Silicon Labs公司的Si8274GB1-IM門驅(qū)動電路。為簡化EPC2050 GaN FET的評估過程，所有關(guān)鍵器件都包含在該開發(fā)板上，易于連接到現(xiàn)有轉(zhuǎn)換器上。


 

　　圖為EPC9084開發(fā)板

　　售價

　　EPC2050 eGaN FET以1千片為單位的單個售價是3.19美元，

　　EPC9084開發(fā)板售價是每個118.75美元。

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